美光预警AI算力需求激增 内存短缺将持续至2026年后
美光预警，因AI领域对HBM、DRAM及NAND需求激增，内存短缺将持续至2026年后。产能受限主因包括HBM裸片尺寸增大、DRAM工艺复杂化及EUV技术挑战。为此，产业加速技术迭代，美光正推进1γ工艺节点并整合EUV，同时HBM4产能提升速度预计翻倍，定制化SSD方案也在同步发展。
（来源：快科技）
全球内存市场正面临一个关键转折点：供应紧张的局面预计将持续至2026年之后。存储行业领导者美光科技近日发出预警，指出由于人工智能应用对HBM高带宽内存、DRAM及NAND闪存产品的需求呈现爆发式增长，现有产能已难以满足市场需求。
这一趋势获得了权威机构的分析支持。摩根大通在其最新投资报告中披露，美光科技管理层在第54届全球科技、媒体与通信年度大会上明确表示，当前HBM、NAND和DRAM芯片的产能确实受限，主要原因在于人工智能模型性能的快速迭代对存储硬件提出了更高要求，导致供需关系持续紧张。
那么，导致存储芯片供需失衡加剧的核心因素有哪些？背后是多重技术挑战的共同作用。
首先，芯片制程代际性能提升的节奏正在发生变化，技术演进周期面临压力。其次，新一代HBM芯片的裸片尺寸显著增大，直接消耗了更多的晶圆制造产能。此外，在DRAM先进制造工艺中，极紫外（EUV）光刻技术的应用复杂度不断提升，这也对产能的快速爬升构成了实质性障碍。
为应对上述挑战，存储产业正在加速技术革新与产能布局。以美光科技为例，其重点推进的1γ工艺节点，被定位为公司历史上晶圆产出效率最高的DRAM制程节点。目前，公司正全力加速将EUV光刻技术整合到该节点的量产流程中，旨在突破现有产能瓶颈，提升DRAM芯片供应能力。
在备受关注的高带宽内存（HBM）产品线上，技术迭代与产能提升步伐更为明显。美光透露，其下一代HBM4产品的产能提升速度，预计将达到当前HBM3世代的两倍。而面向更长远规划的HBM4E内存，已确定于2027年投入量产，其首批工程样品将搭载基于前述1γ先进工艺制造的DRAM核心芯片。
除了核心的内存芯片，固态硬盘（SSD）市场也成为存储巨头战略布局的关键领域。美光正通过提供高度定制化的存储解决方案来强化市场竞争力。目前，公司已与多家重要客户展开深度合作，针对人工智能工作负载的特定需求——例如持续扩大的模型上下文窗口和不断增长的推理计算需求——进行产品级优化，旨在以定制化方案替代通用的标准产品，从而更好地满足AI数据中心与边缘计算场景的存储需求。
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