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智芯科超低功耗VAD语音芯片如何实现AI穿戴设备超长续航

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AI热点日报时间:2026-05-28
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智芯科公司推出超低功耗VAD语音芯片,采用存内计算技术,显著降低语音唤醒能耗并保持高精度。该技术直接延长设备续航,减少误唤醒,提升交互体验,同时简化产品设计。芯片级低功耗创新为AI穿戴生态提供关键支持,推动行业向“无感智能”体验迈进。

智能穿戴行业正迎来AI技术融合的关键转折点。从智能手表、AR眼镜到TWS耳机,各类设备在健康监测、实时翻译、语音交互等方面持续进化。然而,一个长期存在的痛点始终制约着用户体验与行业发展——续航焦虑,始终是智能穿戴设备无法回避的核心挑战。

你是否经常遇到这些场景?跑步时智能手表突然电量告急,出差途中发现无线耳机充电盒已耗尽电量,或是睡眠中被手环的低电量提醒打断。这背后反映出一个严峻的技术现实:电池能量密度提升缓慢,过去十年仅增长约30%,而设备对算力与功能的需求却呈指数级增长。若单纯增大电池容量,又会牺牲穿戴设备至关重要的轻薄设计与佩戴舒适度。功能丰富性与续航能力,似乎成为难以兼顾的矛盾。

“智能守门人”的功耗困境

要实现“随时待命”的语音唤醒功能,设备必须持续运行VAD(语音活动检测)芯片。这颗芯片如同设备的“智能守门人”,需要全天候监听环境声音,仅在识别到唤醒词时才激活主系统,其余时间则应保持极低功耗状态。

然而传统方案往往面临两难选择:要么功耗过高,长期处于微瓦级耗电,严重影响穿戴设备续航;要么为省电而牺牲灵敏度,导致在嘈杂环境中容易误触发或无法唤醒。这成为许多厂商的产品痛点——想要获得便捷的语音交互,就不得不接受续航缩短的代价。

智芯科以超低功耗VAD语音芯片赋能AI穿戴超长续航

破局关键:从“存算分离”到“存算一体”

在近期广州举办的智能穿戴产业论坛上,芯片设计企业智芯科提出的技术方案,为行业续航难题提供了新的解决思路。其核心在于将存内计算技术应用于VAD语音芯片设计。

存内计算技术打破了传统架构中数据存储与计算分离的模式,使计算直接在数据存储位置进行,大幅减少了数据搬运产生的能耗。基于这一原理研发的超低功耗VAD芯片,实现了监听功耗显著降低与检测精度同步提升的双重突破,能够有效区分人声与环境噪声,真正实现“低功耗不低体验”。

不止于续航:体验与生态的双重优化

这项技术突破带来的是系统性提升。最直接的改善是设备续航延长,用户可减少充电频率,获得更接近“无感佩戴”的体验。

同时,语音交互体验也得到优化。更高精度的VAD意味着更少的误唤醒和更高的唤醒成功率,用户无需刻意靠近设备或提高音量,交互过程更加自然流畅,这正符合智能穿戴“无感伴随、即时响应”的产品理念。

从产品开发维度看,高集成度的单芯片解决方案(结合智芯科AT680/690系列芯片技术)有助于简化硬件设计,用单一芯片实现以往多颗芯片的功能,降低系统复杂度与整体成本,加快产品上市周期。

从技术突破到产业生态

行业讨论中逐渐形成共识:智能穿戴竞争已从“功能叠加”阶段进入“体验优化”深水区。续航能力是用户体验的基石,而芯片作为决定设备能效的“心脏”,其技术创新将成为推动产业升级的关键杠杆。

当前AI穿戴生态正在快速完善,硬件、算法与应用服务紧密耦合。芯片层面的低功耗突破,不仅缓解了续航压力,也为本地化AI应用(如端侧大模型运行)释放了宝贵的功耗空间。这意味着未来穿戴设备有望承载更强大、更即时、且不依赖云端响应的智能功能。

随着智芯科超低功耗VAD芯片等关键技术逐步成熟与普及,长期困扰行业的续航瓶颈将得到有效缓解。当电力不再成为创新约束,AI与穿戴设备的深度融合将激发更大潜能,真正无缝融入日常生活,推动产业迈向真正的“无感智能”时代。这场关于“持久力”的技术竞赛,最终赢得的将是整个产业链的升级与用户体验的全面提升。

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