联发科下一代芯片独家采用英特尔EMIB-T封装

6月3日消息，联发科正式发布官方声明，确认其下一代芯片将独家采用英特尔的EMIB-T封装技术。时间规划清晰明确：计划于2026年第四季度完成流片，2027年第四季度实现量产。

目前尚不确定具体哪款芯片将采用该封装技术，但行业分析人士推测，很可能涉及定制AI芯片或系统级芯片（SoC）。若该合作落地，对英特尔的代工业务而言，堪称一次战略性的重大胜利。

业内对此已讨论数月。值得注意的是，谷歌计划于2027年推出的TPU v9，同样有可能采用EMIB封装。作为谷歌定制TPU的合作伙伴，联发科极有可能与谷歌共同评估过英特尔的这套封装方案。

来看技术细节。EMIB全称为“嵌入式多芯片互连桥接”（Embedded Multi-die Interconnect Bridge），是业界首个2.5D嵌入式桥接解决方案。英特尔自2017年起便开始量产基于EMIB的产品。其核心原理是利用小型嵌入式硅桥，连接封装内的多个芯片，从而省去体积较大的中介层。

EMIB-T则可视为标准EMIB的增强版本，重点提升了两个方面：一是封装供电效率，二是芯片间通信速度。

标准EMIB的供电路径采用悬臂式设计，容易产生较大的电压降。EMIB-T通过引入硅通孔（TSV）技术，使电流从芯片封装底部直接经TSV桥接供电，形成低电阻的直通路径。这一改进对于HBM4和HBM4E的集成尤为关键。

此外，TSV还显著提升了通信带宽。EMIB-T采用UCIe-A互连技术，数据传输速率可达32 Gb/s甚至更高。