铠侠将于2026年夏季出样下一代BiCS10 1Tb TLC闪存

6 月 3 日消息，铠侠在昨天举行的 2026 年投资者日活动上，释放了一个重要信号：BiCS10 1Tb TLC NAND 闪存将于今年夏天正式出样。这款闪存芯片将搭载于他们下一代支持 PCIe Gen6 的 CM 系列企业级固态硬盘中，为高性能存储场景做好准备。

BiCS10 采用 332 层堆叠设计，这个层数放在当前市场中，并非行业最高。然而，铠侠对此表现得相当坦然。他们明确指出，如今仅靠增加堆叠层数已无法有效解决成本问题——层数越高，工艺越复杂，制造成本也会随之上升，同时高堆叠还会对能效与可靠性产生负面影响。相比之下，332 层的 BiCS10 与推测中的 400 层方案相比，成本降低了 10%，能效提升了 10%，而可靠性方面的优势更是拉大了 35% 的差距。这无疑是工程层面更务实的路径选择。

从市场维度来看，铠侠公布了若干值得关注的数据。未来三年（2026-2028），NAND 整体出货容量的年复合增长率预计约为 22%，但数据中心细分市场的增速可达 46%。更强劲的是 AI 推理场景，其增长率高达 86%。与之相对，PC 和智能手机的需求则基本持平，甚至可能呈现小幅下滑趋势。这一明显的“剪刀差”走势，其实已清晰指明了行业大势所趋。

铠侠判断，当前的 NAND 市场正处在供需失衡最为严重的阶段。接下来虽然会逐步改善，但直至 2027 年底之前，供小于求的基本格局不会发生根本性变化。这意味着，在未来一年半的时间里，产能依然维持偏紧状态。

在这种背景之下，铠侠的战略方向十分明确：全力聚焦数据中心与企业级业务，目标是将这块收入占比提升至 60% 以上。简单来说，就是要依靠高附加值的产品来增强盈利能力。而对于 PC 和手机端的收入规模，能够保持稳定即可。

为实现这些目标，铠侠在资本开支和研发方面准备大幅投入。2026 至 2028 财年，这两项支出的平均规模将比 2025 财年至少增长 60%。同时，制程升级也将提速，目标是每年将前端单位容量的成本降低约 10%。

此外，铠侠还透露了一项长期规划：北上市生产基地的进一步扩建目前已在评估之中，目标是在 2029 财年之后正式投产。这一步棋，显然是为更远期的需求增长提前做好铺垫。