朗科在台北电脑展2026展示DDR5内存条和U.3固态硬盘等产品
朗科在台北电脑展展出多款新品,包括ShadowIIRGBDDR5内存,频率高达7600兆赫,支持XMP3 0与EXPO超频技术;ZX20V移动硬盘,读写速度分别达到2000和1700兆字节每秒;企业级U 3固态硬盘ENSP401 403系列,最大容量30 72太字节,顺序读写速度分别为7000和6800兆字节每秒。
朗科在2025年台北国际电脑展上展示了多款新品,涵盖DDR5内存、移动硬盘以及企业级固态硬盘,产品矩阵相当丰富。据TechPower Up现场报道,这家老牌存储厂商此次展出的产品线十分齐全。

其中最受关注的是Shadow II RGB DDR5内存条。该产品采用高品质颗粒,最高频率可达7600MHz。特别值得一提的是,它同时支持英特尔XMP 3.0与AMD EXPO两套超频配置文件,意味着无论是Intel平台还是AMD平台的玩家,都能一键开启高频模式。铝制散热片搭配RGB灯效,外观设计符合当前电竞用户的审美。不过,官方尚未公布具体的上市时间。
移动存储方面,朗科推出了ZX20 V移动硬盘。机身尺寸仅为71.5×43.5×8mm,重量仅23g,铝合金外壳质感出色。内置3D TLC NAND闪存颗粒,提供从512GB到4TB共四种容量选项。接口采用USB 3.2 Gen 2x2,理论带宽20Gbps,顺序读取速度最高2000MB/s,顺序写入速度可达1700MB/s。从参数来看,这一性能足以满足绝大多数用户日常传输大型文件的需求。

在企业级市场,朗科同样带来了两款U.3 PCIe 4.0 x4固态硬盘,定位清晰。ENSP401系列覆盖1.92TB至30.72TB的超大容量区间,顺序读取速度7000MB/s,顺序写入3800MB/s,随机读取性能达85万IOPS。而ENSP403系列在写入性能上大幅提升,顺序写入速度达到6800MB/s,随机读取性能更是翻倍至160万IOPS。从数据来看,后者显然是为高负载写入场景量身打造的。

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