海力士首次公开展示HBM4E高带宽内存芯片

在2026年台北国际电脑展上，SK海力士提前放出重磅消息——下一代HBM4E存储芯片样品正式亮相。先来看最令人兴奋的部分：这款新品在单颗裸片（Die）上实现了32Gb容量，较上一代HBM4提升约33%。这意味着什么？过去需要堆叠16层（16-Hi）才能达到的48GB容量，如今只需12层（12-Hi）即可完成。密度提升带来的带宽飞跃同样抢眼——HBM4E单Pin传输速率最高可达16Gbps，比HBM4快了约37%，整体内存带宽因此被推向创纪录的4TB/s。

这些数字背后的核心逻辑非常清晰：更高的存储密度与带宽，正是为了满足下一代AI数据中心芯片的极致需求。SK海力士提前展示样品，也是在向市场传递明确信号——量产已提上日程。预计明年发布的NVIDIA Rubin Ultra GPU将成为首批搭载HBM4E的产品。作为Rubin的升级版本，Rubin Ultra需要在单一封装中集成多个GPU与HBM4E堆栈，以换取AI性能的大幅提升。

除了HBM这条主线，SK海力士还在探索另一条路径：新一代堆叠式NAND方案，官方称之为AI-N B。这一思路颇具巧思——借鉴HBM的设计理念，通过TSV（硅通孔）技术将多层NAND Die垂直堆叠。目标是在保持SSD级超大容量的同时，实现接近HBM的超高吞吐性能。实际上，这与HBF、Z-Angle等新型存储架构殊途同归，都是为了缓解AI时代最棘手的存储供需失衡问题。

当然，存储巨头不会只盯着服务器市场。面向客户端，SK海力士也在Computex上展示了多款新品。其中最引人注目的是基于1cnm工艺打造的96GB LPCAMM2模组——这是SK海力士首款达到96GB容量的LPCAMM2产品。它采用LPDDR5X标准，数据传输速度最高可达9.6Gbps，预计今年晚些时候将出现在新一代“AI PC”平台上。与此同时，基于第九代（V9）NAND技术的产品组合也一并亮相，包括V9 QLC NAND和V9 TLC NAND，最高提供2TB存储容量，采用紧凑型cSSD规格。这些布局显然是为未来几年“AI PC”浪潮提前蓄力。