SK海力士400层受阻改年底量产375层NAND
近期一则值得关注的行业动态:SK海力士正对其NAND闪存技术路线进行调整,旗下375层堆叠产品已完成量产验证。该公司计划将清州M15工厂原有产线(涵盖176层、238层及321层)逐步升级改造为375层产品生产线,目标是在2026年底前正式实现量产。
该产品最初规划为400层架构,但由于超高堆叠层数的量产工艺瓶颈,最终不得不将层数下调至375层。据行业内部人士透露,后续产品规划仍包括480层和604层,显然这条技术路线并未因短期调整而止步。
为弥补层数上的损失,375层产品在字线金属栅极中首次采用钼(Mo)部分替代传统的钨(W)材料。在超高堆叠场景下,这一选择尤为关键——钨基字线在极高层数时电阻激增,信号延迟加剧,且阻挡辅助层会挤占堆叠空间。钼的电阻率更低,且无需阻挡层,有助于同时提升NAND闪存的读写性能与存储密度。
然而,钼前驱体在常温下呈固态,对制程控制要求极高。SK海力士在评估泛林集团与东京电子的设备后,最终选择了后者的炉式沉积系统。该系统一次可处理约100片晶圆,在设备成本、场地占用与物料消耗方面更具优势。
值得对比的是,三星电子早在2024年4月量产第九代286层V-NAND时,就已将钼用于金属布线环节。其规划的第十代400层以上NAND预计于2026年下半年推出,钼材料的应用范围正持续扩大。

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