英特尔代工公布18A-P制程最新进展及未来创新规划
英特尔代工确认18A-P制程已风险试产，性能提升9%或功耗降低18%，采用PowerBoost技术优化能效。同步展示GAA晶体管与背面供电进展，并规划CFET、氮化镓异质集成等未来路径。
就在6月17日，英特尔官方发布了一则备受行业关注的动态：在2026年VLSI国际研讨会上，英特尔代工部门正式确认，其Intel 18A-P制程已迈入风险试产阶段。代工业务执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran明确表示，这标志着英特尔在尖端制程领域的持续投入与创新承诺正逐步兑现，为下一代高性能芯片的规模化量产铺平道路。
作为18A工艺的“性能增强版本”，18A-P交出了一份亮眼的成绩单：在同等工作功耗水平下，其性能可提升约9%；反之，若保持性能不变，功耗则可降低18%。这背后得益于一项名为Power Boost的能效优化技术。简单来说，通过材料革新与结构几何优化，热阻被压缩了20%至40%，过孔电阻也下降了10%到30%。更关键的是，该技术完全兼容18A的设计规则——这意味着现有客户的设计迁移成本被有效控制在合理范围内，大幅降低了升级门槛。
会上，英特尔院士Eric Karl与Manju Shamanna还展示了GAA（环绕栅极）晶体管以及背面供电（BSPDN）技术的最新研究成果。这些技术带来的直接效益包括：动态功耗得到有效削减，低频工作模式下的能效表现也显著提升。事实上，背面供电技术一直被视为“下一代芯片微缩的关键拼图”，英特尔的这一步布局相当扎实，为后续制程的持续演进奠定了坚实基础。
展望未来，英特尔还揭晓了更为远期的技术路线图：包括单片集成CFET反相器、氮化镓（GaN）与硅基逻辑电路的异质集成方案，以及减成法钌互连工艺。这些技术虽然听起来颇具门槛，但简而言之就是：英特尔正在为未来3nm乃至更小节点的芯片微缩，提前铺设多条技术支撑路径，确保在先进制程竞争中保持领先优势。
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