三星全球首发5nm MRAM，非易失存储技术获重大突破
三星电子在2026年度IEEEVLSI研讨会上首次展示了全球首款5nmMRAM（磁性随机存取存储器）研发成果。该技术相比传统DRAM，在运行速度、使用寿命和量产可行性上优势明显，尤其具备功耗低和非易失（断电数据不丢失）两大核心特性。此次展示的5nmMRAM支持宽温工作范围，符合车规标准，并计划
在近期举办的2026年度IEEE VLSI研讨会上，三星电子首次对外公开了其全球首款5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。这一技术突破标志着非易失存储领域在制程工艺上迈入全新阶段，为未来高性能、低功耗存储解决方案提供了极具前景的发展方向。
与当前主流的DRAM技术相比，MRAM在多个维度展现出显著优势。其运行速度更快，使用寿命更长，且在量产可行性方面具备良好潜力。尤为关键的是，MRAM的功耗远低于传统DRAM，同时具备非易失特性，这意味着断电后数据依然能够完整保存。此次展出的5nm MRAM样品，支持-40℃至+150℃的宽工作温度范围，完全满足AEC-Q100车规标准，显示出其在汽车电子等严苛应用环境中的巨大潜力。
技术迭代加速，量产时间表明确
三星正按照既定规划稳步推进该技术的研发与产业化进程，目标是在2027年实现5nm MRAM的量产。回顾其技术路线图，今年早些时候，三星已在另一学术会议上展示了8nm MRAM技术，而基于该8nm制程的边缘AI芯片也于今年5月成功完成流片。从8nm到5nm的快速迭代，清晰地表明三星在新型存储技术领域的研发节奏正在持续加速。这一系列进展不仅巩固了三星在先进存储领域的领先地位，也为下一代计算架构——特别是对功耗和可靠性有极高要求的边缘计算、人工智能及车载系统——提供了关键的硬件支撑。
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