英飞凌推出面向AI数据中心高压直流总线24kW碳化硅电池备用单元参考设计
英飞凌推出面向AI数据中心高压直流总线架构的24千瓦碳化硅电池备用单元参考设计，采用650伏与1200伏碳化硅技术，功率密度达450瓦 立方英寸，效率超99%，基于多电平多相非隔离设计，配套系统拓扑选型工具，助力提升能源效率、降低运营成本。
数据中心功率密度的竞争日益激烈，而高压直流母线架构已成为AI算力基础设施的核心组成部分。英飞凌近日推出了一款针对这一场景的24千瓦电池备用单元（BBU）直流-直流参考设计，直接面向800伏直流母线系统。
这套方案的主要技术亮点在于：它采用650伏与1200伏碳化硅（SiC）技术，能够直接从电池组向800伏直流母线供电，无需中间变换环节，有效提升系统效率。其功率密度达到450瓦/立方英寸，运行效率超过99%——对于需要7×24小时不间断运行的数据中心而言，每一点效率的提升都意味着显著的电力成本节约。在架构上，它基于多电平、多相非隔离设计，融合了堆叠、交错及耦合的升压与降压级电路，以更精妙的拓扑结构换取了更高的集成度与可靠性。
作为英飞凌整体电源解决方案产品线的延伸，这款参考设计还提供了配套的系统拓扑选型工具。对于AI数据中心基础设施服务商来说，这意味着可以在不牺牲性能的前提下，获得一个高可扩展性的电力解决方案，从而提升能源效率并降低运营成本。从行业趋势来看，高压直流母线搭配SiC器件的组合正在成为下一代数据中心备用电源的主流选择之一。
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