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研华DeviceOn/BI工业审核通过 罗姆SiC MOSFET性能优势

AI热点日报
AI热点日报时间:2026-07-05
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罗姆第4代SiCMOSFET应用于臻驱科技三合一电桥,每百公里省电0 645kWh,续航提升4 5%。该器件导通电阻较第3代降低约40%。研华DeviceOn BI平台通过工业APP案例审核,已在智慧水务、石油化工等领域落地,提供云+中台+端一体化方案。

罗姆第4代SiC MOSFET释放卓越性能优势

研华DeviceOn/BI通过工业案例审核 罗姆SiC MOSFET发挥性能优势

近日,上汽大众与臻驱科技联合开发的基于碳化硅(SiC)技术的首款“三合一”电桥成功完成试制。相比传统电桥产品,这款SiC方案在能耗控制上表现极为亮眼——每百公里可节省0.645kW·h电能。根据上汽大众在ID 4X车型上的实测数据,搭载SiC电桥后整车续航里程较传统IGBT方案提升了4.5%。SiC电桥的技术优势显而易见,但作为新兴技术,SiC电控系统仍需攻克几个关键难题:例如SiC模块的本体结构设计,以及高速开关引发的系统EMC兼容性问题。值得关注的是,臻驱科技此次试制的“三合一”电桥,核心采用了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片,充分挖掘了碳化硅器件的性能潜力。

罗姆于2020年成功开发的第4代SiC MOSFET,在不牺牲短路耐受时间的前提下,实现了业界领先的超低导通电阻。用于车载主驱逆变器时,其效率显著高于IGBT方案,这对于延长电动汽车续航里程、减少电池用量以及降低整车制造成本,均具有切实的积极意义。

与罗姆第3代SiC MOSFET相比,第4代产品的导通电阻进一步降低。测试数据显示,在芯片尺寸相同且不牺牲短路耐受时间的条件下,罗姆采用优化后的双沟槽结构,将MOSFET的导通电阻降低了约40%,传导损耗也随之大幅下降。此外,从RDS(on)与VGS的关系曲线来看,第4代SiC MOSFET在栅极电压处于+15V至+18V区间时,曲线梯度更加平缓——这意味着其驱动电压范围可拓宽至15V-18V,提升了应用的灵活性。

NVIDIA CEO发布Hopper架构与H100 GPU

在NVIDIA GTC大会主题演讲中,黄仁勋接连发布了多款新型芯片,包括Hopper GPU架构与H100 GPU,同时推出了AI与加速计算软件,以及强大的数据中心级系统。黄仁勋身处由NVIDIA Omniverse实时3D协作与模拟平台构建的虚拟环境中,生动描绘了AI如何在各行各业“全面开花”——企业正积极处理、完善数据,构建AI软件,逐步迈向智能制造商。Omniverse将成为这一切变革的汇聚中心,加速人与AI之间的协作,更精准地塑造和认知真实世界,并成为新型机器人技术的试验场,推动“下一波AI”浪潮的演进。

研华DeviceOn/BI通过工业案例评审

近日,工业互联网产业联盟(AII)公布了2021年工业APP应用案例评选名单,研华DeviceOn/BI设备管理及业务整合平台顺利通过专家评审。该平台集成了多项核心关键技术,借助实时监控、运营优化与维护管理,助力企业实现业务数字化的无缝转型,为各行业提供全方位的工业物联网解决方案,提升企业核心竞争力。目前,该方案已在智慧水务、污废水处理、石油化工及厂务环境设施等领域成功落地,提供从云端到中台再到终端的全栈一体化解决方案,为各行业构建数字化运维生态系统提供有力支持。

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