安森美推出全球首款TOLL封装650V碳化硅MOSFET

2022年5月，PCIM Europe展会上亮相了一款备受瞩目的新品——安森美（onsemi）发布了全球首款采用TOLL（To-Leadless）封装的650V碳化硅MOSFET。简单来说，这款器件将原本需要D2PAK 7引脚这类“大尺寸”封装的SiC器件，成功压缩到一个更加紧凑的新封装中。这远非简单的换壳之举，其背后反映的是产业对高功率密度设计日益增长的需求。

尺寸上的优势一目了然：TOLL封装尺寸仅为9.90 mm x 11.68 mm，相比D2PAK可节省30%的PCB面积；厚度仅2.30 mm，整体体积缩小了60%——在空间极为宝贵的电源设计中，这无疑是可观的空间节省红利。

更值得关注的是，在缩小尺寸的同时，性能不仅没有妥协，反而得到了提升。TOLL封装具备更优的热性能，封装电感低至2 nH，并集成了开尔文源极（Kelvin source）配置。这一配置至关重要——它能有效抑制门极噪声并降低开关损耗，尤其导通损耗（EON）相比无Kelvin配置的器件减少了60%。这意味着在苛刻的电源设计下，能效与功率密度可以同步迈上新台阶，EMI表现也更加友好，从而使PCB设计更为便捷。

安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理Asif Jakwani在发布时指出一个明显趋势：在小空间内实现高可靠性的电源设计，正成为工业、高性能电源、服务器等领域的核心竞争力。将自家顶级的SiC MOSFET封装进TOLL中，不仅仅是为了节省空间，更是为了在EMI、损耗等多个维度上提供更出色的性能——这才是一款真正能协助设计人员攻克难题的开关器件。

回到SiC技术本身，相较于传统硅器件，其优势已十分清晰：高频下效率更高、EMI更低、耐温能力更强、可靠性也更优越。而安森美在这一领域拥有独特优势——它是目前唯一具备垂直集成能力的SiC供应商，从SiC晶球生长、衬底、外延到晶圆制造，再到模块和分立封装，整条产业链都掌握在自己手中。这种全栈能力在保证性能一致性与供应链稳定性方面，确实具备不可替代的价值。

首款采用TOLL封装的SiC MOSFET型号为NTBL045N065SC1，典型应用场景涵盖开关电源（SMPS）、服务器电源、电信电源、太阳能逆变器、UPS以及储能系统。如需满足ErP或80 PLUS Titanium等最为严苛的能效标准，这颗器件完全能够胜任。

具体参数方面，NTBL045N065SC1的VDSS额定值为650V，典型RDS(on)仅为33 mΩ，最大漏极电流（ID）达到73A。基于宽禁带（WBG）SiC技术，最高工作温度可达175°C，同时超低门极电荷（QG(tot)=105 nC）意味着开关损耗可被降至很低。还有一个容易被忽视但十分重要的细节：TOLL封装的湿度敏感度等级达到了MSL1，这对批量生产中的故障率控制极为有利。

此外，安森美也提供了车规级版本，采用TO-247 3引脚、4引脚以及D2PAK 7引脚封装，以满足不同层次的设计需求。

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