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一文读懂高带宽存储器:图形处理器的最强辅助

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AI热点日报时间:2026-07-07
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HBM是一种3D堆叠DRAM技术,由AMD与海力士联合开发,旨在满足GPU对高带宽和容量的需求。技术已迭代至第五代HBM3E,带宽可达1 2TB s。英伟达H200搭载美光HBM3E显存。市场由SK海力士、三星电子和美光主导,迭代方向为更高堆叠层数与更宽位宽。

深入探索HBM技术:GPU最强辅助的完整解析

HBM技术作为GPU的最强辅助,正推动高性能计算实现飞跃式发展。下面我们从技术起源、迭代路径、实际应用到市场格局,系统解读这一关键内存技术。

一、什么是HBM?技术起源与传统内存对比

HBM是High Bandwidth Memory(高带宽内存)的简称,是一种高性能的3D堆叠DRAM技术,主要用于满足高性能计算和图形处理单元(GPU)对内存带宽和容量的高需求。HBM技术由AMD与海力士(Hynix)共同开发,并在2013年首次公布。

随着计算需求的不断增长,传统的内存技术(如GDDR5)已经难以满足高性能计算(HPC)和GPU对内存带宽和容量的日益增长的需求。HBM通过将多个DRAM芯片层叠在一起,并使用高密度的硅通孔(TSV)和微凸点(microbumps)技术,实现与处理器或GPU的垂直互连。这种设计大幅提高了内存的带宽和容量,同时减小了内存模块的物理尺寸。与传统的GDDR5内存相比,HBM由于其紧凑的设计和高效的数据传输,通常具有更低的功耗。

二、HBM的发展历程:从第一代到第五代

目前HBM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发,最新的HBM3E是HBM3的扩展版本。

  • 堆叠层数:GPU现在一般常见有2/4/6/8四种数量的堆叠,立体上目前最多堆叠12层。
  • 关键产品发布:2月26日,美光科技官方宣布开始批量生产HBM3E高带宽内存,其24GB 8H HBM3E产品将供货给英伟达,并将应用于英伟达H200 Tensor Core GPU。

三、HBM在GPU中的实际应用:以英伟达H200为例

目前主流AI训练芯片都使用HBM,一颗GPU配多颗HBM。以英伟达最新发布的H200为例,该GPU搭载了6个美光HBM3E 24GB高速显存。

关键参数与细节:

  • 按理论计算:H200的内存容量应为24×6=144GB,内存带宽应为1.2×6=7.2TB/s。
  • 但英伟达官网发布的参数为:显存141GB(并不是整数),显存带宽4.8TB/s。
  • 原因:出于量产原因,英伟达保留了一小部分作为冗余,以提高良品率。

四、HBM的迭代方向:容量与带宽的持续提升

HBM不断迭代,迭代方向为增加容量和带宽。目前最高层数为12层。各代关键数据如下:

  • 海力士2014年推出全世界第一颗HBM,2018年推出HBM2,后续每隔两年推出新一代HBM。
  • 总线位宽:HBM1到HBM3e均保持在1024bit。
  • 数据传输速率:从HBM1的1Gb/s提升到HBM3e的9.2Gb/s。
  • 带宽:从HBM1的128GB/s提升至HBM3e的1.2TB/s。
  • HBM4展望:标准目前未确定,目前普遍预期HBM4最高16层堆叠,2048bit总线位宽。

美光HBM3E目前拥有24GB容量,引脚速度超过9.2Gb/s,可提供超过1.2TB/s的内存带宽,为AI翻跟斗、超级计算机和数据中心提供闪电般的数据访问速度。

五、市场主导者:三大存储巨头的竞争格局

HBM市场主要由三大存储巨头所主导:

  • SK海力士:作为HBM技术的主要开发者之一,SK海力士在HBM领域占据领先地位。该公司不仅参与了HBM的早期开发,还持续推动技术的迭代,如HBM2、HBM2E到HBM3等。SK海力士在HBM技术上的创新和量产能力,使其成为英伟达AI芯片HBM的主要供应商,份额最高。
  • 三星电子:全球领先的半导体公司之一,在HBM技术方面也具有强大的研发和生产能力。三星电子不仅在HBM的研发上投入巨大,还积极扩大产能以满足市场需求。三星着重满足其他云端服务业者的订单,在客户加单下,预计在HBM3与海力士的市占率差距会大幅缩小。2023~2024年三星和海力士市占率预估相当,合计拥HBM市场约95%的市占率。
  • 美光科技:因技术路线判断失误在HBM市场份额比较低,在追赶中。虽然相比SK海力士和三星电子较晚进入HBM市场,但美光通过直接从HBM3E开始着手,并迅速提升技术实力,对现有市场格局构成了挑战。英伟达在H200中使用美光是对其非常大的认可。

六、常见问题与解答

  • 问:HBM和GDDR6哪个更适合AI训练?
    答:AI训练对内存带宽要求极高,HBM凭借3D堆叠和更宽的位宽(1024bit)提供远超GDDR6的带宽(HBM3E可达1.2TB/s),是当前AI训练芯片的首选。
  • 问:为什么HBM3E的功耗比GDDR低?
    答:HBM采用更紧凑的设计和更短的互连距离(通过TSV),减少了信号传输损耗和驱动能量,同时工作电压更低,因此整体功耗更优。
  • 问:HBM4预计什么时候量产?
    答:按照之前的迭代节奏(每两年一代),HBM4有望在2025-2026年面世,目前预期支持16层堆叠和2048bit位宽。

七、小提示

在选购或评估搭载HBM的GPU时,注意以下两点:

  • 实际可用容量往往比理论值略低(如H200的141GB vs 144GB),这是厂商为保证良率保留冗余的正常做法。
  • 关注HBM版本差异:HBM2E、HBM3、HBM3E的带宽和功耗有显著区别,最新的HBM3E在AI推理和训练中优势更明显。

HBM技术正在从3D堆叠走向更高层数、更宽位宽和更快速率,其作为GPU最强辅助的地位将持续巩固,推动高性能计算和人工智能迈向新高度。

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