国产DRAM龙头长鑫科技7月16日申购募资295亿扩产晶圆
长鑫科技7月16日申购科创板,募资295亿元用于12英寸晶圆扩产及HBM研发。作为国内唯一DRAM自主IDM厂商,已量产全系列内存颗粒,打破海外垄断,上市后将加速高端存储技术追赶。
7月9日,长鑫科技的新股申购计划终于尘埃落定。根据上交所发布的完整发行公告,这家国内DRAM存储领军企业将于7月16日统一开放网上与网下申购,正式登陆科创板。
本次发行股票代码为688825,普通投资者的网上申购代码为787825,发行总量为66.88亿股,占发行后总股本的一成。与此同时,保荐机构被授予最高15%的超额配售选择权。

若全额行使超额配售权,总发行量将增至76.91亿股,整体募资规模达295亿元。这笔资金将全部用于12英寸晶圆产线扩建、HBM高端存储芯片研发以及配套产能建设。
值得注意的是,本次发行采用战略配售、网下询价与网上打新相结合的模式。其中半数新股优先向战略投资者定向配售,剩余份额再分配给机构与散户。7月13日开启网下初步询价,15日正式公布最终发行价格,16日全天开放申购通道。参与网上申购需持有沪市A股对应市值。申购完成后,投资者须在7月20日收盘前完成足额缴款,否则视为放弃中签资格。

长鑫科技于2016年在合肥成立,是国内唯一实现DRAM芯片自主研发与制造一体化的IDM厂商。其全资子公司长鑫存储已成功量产DDR4、DDR5、LPDDR5全系列内存颗粒,产品覆盖服务器、PC、智能手机、智能汽车算力等多个赛道,直接打破了三星、海力士、美光长期垄断全球DRAM市场的格局。旗下三座12英寸晶圆厂正持续释放产能,深度供货给小米、联想以及国内头部云服务商等客户。
此次上市募资完成后,将加速高端算力存储HBM产品的落地,进一步缩小与海外存储巨头之间的技术代差。

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