AI热潮推动 HBM4内存价格明年有望翻倍 行业人士预测

DigiTimes最新报告披露，行业消息人士表示，AI需求爆发式增长与产能结构性瓶颈叠加，正推动高带宽内存（HBM）价格预计在2027年前实现翻倍。

更值得注意的是，消息人士预测，下一代HBM4的价格将从2026年下半年的约2美元/千兆比特，跃升至4至5美元甚至更高。

为何出现如此大幅上涨？原因主要有两点。其一，HBM4制造工艺极其复杂，生产周期长达4至6个月，且初始良率较低。其二，每颗HBM所消耗的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍，这直接限制了制造商在现有设施中的总内存产出量。

供应紧张状况远不止于此。目前，全球HBM三大巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——正积极与顶级AI客户签署为期三至五年的长期协议，从而锁定全球内存供应的大部分份额。

DigiTimes的预测更为直接：到2027年，全球DRAM总产能中，约有一半将完全脱离小型买家的采购范围。

虽然英伟达即将推出的Rubin架构正在加速HBM4的开发进程，但内存厂商目前却面临一个意外的经济权衡——标准服务器内存市场表现异常强劲。

今年，部分供应商的DDR5利润率已突破80%，这迫使芯片制造商必须为HBM争取更高的定价，否则难以将生产线从稳定盈利的DDR5转移至HBM。

在华尔街，这种结构性供应紧缩的叙事，显然正成为存储芯片股票的重要催化剂。

本周五，SK海力士以美国存托凭证（ADR）形式在美股市场上市，创下265亿美元的历史发行规模纪录，股价较首尔本地市场存在明显溢价。这反映出AI存储领域大宗交易势头依然强劲。

尽管近期市场担忧科技巨头可能削减基础设施支出，但供应链渠道传来的消息显示：到2027年，AI硬件仍将面临根本性的供应不足。

因此，预计到2026年底，在合同谈判中，芯片供应商将牢牢掌握价格优势。而尚未签订长期协议的消费电子制造商，可能面临较大的供应短缺风险。

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