宏芯宇发布自研22nm UFS 2.2主控芯片读写速率突破千兆
在COMPUTEX2026展会上，宏芯宇发布了自研的UFS2 2嵌入式闪存主控芯片HG2325。该芯片采用22nm制程工艺，搭载自研LDPC纠错引擎，闪存接口速率支持1600MT s。性能方面，其512GB模组的顺序读取和写入速率分别达到1060MB s和975MB s，并兼容高通、联发科技等主
在近日举办的COMPUTEX 2026展会上，国内存储半导体模组企业宏芯宇正式发布了其自主研发的UFS 2.2嵌入式闪存主控芯片HG2325。这款芯片的亮相，标志着国产存储主控在技术成熟度与性能表现上取得了新的突破，为移动设备、嵌入式系统等领域提供了更丰富的存储解决方案。
据悉，HG2325主控芯片采用了22nm成熟制程工艺打造，在功耗控制与成本效益方面具备显著优势。芯片内置了大容量SRAM缓存，并搭载了自研的4KB LDPC硬件纠错引擎，能够有效保障数据存储的可靠性与稳定性。它适配主流的3D TLC/QLC NAND闪存，闪存接口速率最高支持到1600MT/s。
性能表现与平台兼容性
在具体的性能指标上，基于HG2325主控的512GB存储模组，其顺序读取速率可达1060MB/s，顺序写入速率可达975MB/s，读写性能均突破了千兆大关。同时，该芯片具备良好的平台兼容性，能够适配高通、联发科技、紫光展锐等厂商的主流SoC平台，并支持从64GB到1TB的一系列容量规格，充分满足了不同终端产品的多样化存储需求。
产品线拓展与行业观察
除了UFS主控芯片，宏芯宇在本次展会上还同步展示了包括PCIe Gen5 x4 eSSD、DDR5-5600 RDIMM内存模组以及车规级嵌入式闪存与固态硬盘在内的多款产品。这一系列动作显示出，存储半导体企业正从单一模组向主控芯片、高性能存储方案等核心技术领域深入布局。随着数据量激增和应用场景复杂化，具备自主知识产权和定制化能力的存储解决方案，其市场重要性正日益凸显。
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