HBM堆叠层数迈向20层，芯片散热成存储三巨头竞争焦点
随着AI芯片功耗激增，高带宽内存（HBM）堆叠层数向20层迈进，散热成为关键瓶颈。SK海力士、三星、美光三大存储巨头展开技术竞赛，分别推出iHBM集成冷却、HPB导热块嵌入及硅通孔沟槽冷却等创新散热方案，旨在大幅降低芯片内部热阻。业内指出，散热技术突破将驱动高导热材料与先进封装需求增长，并成为决定未
随着AI硬件性能的飞速提升，高带宽内存（HBM）的堆叠层数正不断刷新纪录，随之而来的散热挑战也日益严峻。近期，SK海力士、三星和美光三大存储巨头纷纷亮出各自的散热解决方案，标志着HBM领域的竞争已从单纯的层数比拼，转向更深层次的技术攻坚。
当前，英伟达和AMD的新一代AI服务器GPU单芯片功耗已逼近1000瓦，对内存散热提出了极高要求。HBM4的堆叠层数已达到12至16层，而下一代HBM5的目标更是迈向20层堆叠。堆叠层数越高，芯片内部热量积聚越严重，过热将直接导致芯片降频、算力下降乃至整机稳定性问题。因此，客户对HBM供应商的散热管理能力提出了明确要求。
SK海力士：集成冷却元件内嵌技术
SK海力士近期发布了名为iHBM的散热技术。该技术的核心在于将集成冷却元件直接内嵌到HBM内部，从而在芯片中开辟出直通的散热通道。与传统设计相比，这项技术能够将热阻降低30%以上。SK海力士计划将iHBM技术应用于其未来的HBM5及后续产品中。
三星电子：多层裸片间嵌入导热块
三星电子则展示了其HPB散热方案。该方案通过在多层DRAM裸片之间埋入导热块，相当于在堆叠的芯片内部搭建了多条独立的“散热烟囱”。这项技术已在第七代HBM4E上完成验证，样品已于5月底首次交付客户。三星表示，该技术可将热阻降低16%，其HBM5产品预计在2028年左右实现量产。
美光科技：聚焦低功耗与沟槽冷却
美光的策略有所不同，其主攻方向是低功耗HBM设计，并辅以硅通孔沟槽冷却技术。该技术通过在AI翻跟斗芯片的硅芯片内部蚀刻微型沟槽，使冷却液在其中循环流动，从而有效降低内部热积累。
业内人士分析指出，散热技术的升级不仅关乎HBM本身的性能发挥，还将带动高导热材料、先进封装制程等需求的爆发，进而重塑半导体供应链。低功耗和高效热管理技术已成为未来HBM研发的核心方向，这场芯片内部的“散热战”将深刻影响下一代AI硬件的性能天花板。
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