HBM4明年价格有望翻倍 产能瓶颈与合同加剧供应紧张

高带宽内存（HBM）市场近期迎来重大变化。根据7月13日的最新消息，受人工智能需求持续激增以及产能结构性瓶颈的双重影响，HBM价格预计到2027年将实现翻倍增长。

具体涨势如何？据DigiTimes上周五报道，业内人士指出，下一代HBM4内存的价格预计将从2026年下半年的每Gb约2美元，大幅攀升至4至5美元甚至更高，涨幅显著。

涨价背后的首要原因在于HBM4极为复杂的制造工艺。其生产周期长达4至6个月，初期良率更是低得令人担忧。更关键的是，同等面积的晶圆，用于生产HBM的产出量仅为普通DDR5的三分之一。这意味着在现有产能条件下，内存厂商的HBM产量受到严重制约。

供应紧张的局面因长期供货协议而进一步恶化。三星电子、SK海力士、美光等存储巨头已与顶级AI客户签署了长达3至5年的长期供货协议，提前锁定了全球HBM产能。这导致越来越多的DRAM产能被转向HBM生产。DigiTimes预计，到2027年，全球约一半的DRAM产能将被HBM占据，中小客户将面临无货可买的窘境。

与此同时，英伟达即将发布的Rubin AI架构正加速推动HBM4进入市场。不过，存储厂商们也在精打细算利润账。今年服务器DDR5的利润率已超过80%，如此丰厚的利润让厂商在转产HBM时不得不权衡利弊——除非HBM能带来更高回报，否则谁愿意放弃眼前的利润？因此，厂商自然会推动HBM维持高价位，以弥补产线转换带来的机会成本。

在资本市场，长期供不应求的预期持续支撑存储板块的股价表现。SK海力士近期通过美国存托凭证（ADR）正式在纳斯达克上市，发行规模高达265亿美元，交易价格甚至高于韩国本土股价，充分显示了投资者对AI存储市场的强烈信心。

这股AI浪潮已推动多家存储企业股价飙升：美光累计涨幅超过700%，闪存厂商闪迪上涨超过3800%，SK海力士上涨超过630%，三星电子也上涨超过360%。尽管市场曾担忧科技巨头可能削减AI投资，但DigiTimes援引供应链消息指出，进入2027年后，AI硬件整体仍处于供不应求的状态。

因此，未来的局面已十分明朗：存储厂商在2026年底的新一轮合同谈判中，将继续牢牢掌握定价主动权。而那些未能提前签署长期供货协议的消费电子厂商，则很可能面临严重的缺货风险。