东芝800V车载与AI服务器电源技术布局和本土化策略
东芝在800V车载与AI服务器电源领域采用系统级解决方案,并行推进功率器件与车载高速通信技术。SiCQDPAK封装提升散热效率,车载马达控制芯片实现高集成化,10G以太网桥接芯片支撑高带宽需求。本土化策略上,东芝以日本晶圆加中国封装模式合作,产能提升至2021年3 5倍,并针对细分市场推出SCiB钛酸锂电池方案。
聊聊当前半导体市场里最热的两个方向——800V高压新能源汽车(xEV)和AI大算力服务器电源(HVDC架构)。它们已然成为功率半导体增长的双引擎。
乍一看,一个跑在轮子上,一个蹲在机房里,应用场景八竿子打不着。但如果在电气特性层面仔细看,它们面临的挑战却是高度相似的——如何在更高电压、更大功率、更高工作频率之下,把系统能效、功率密度和热管理能力再往上提一个台阶。这事儿说起来简单,做起来可不容易。Tier1厂商和数据中心电源架构师们,如今普遍被功率密度不够、散热卡脖子、EMI干扰这些硬件设计难题搞得焦头烂额,更别提产品研发验证周期还被大幅压缩,压力山大。
在2026慕尼黑上海电子展期间,与非网就这些问题采访了东芝技术部高级经理刘文鑫。他给出了一个很明确的信号:单靠升级一颗器件已经不够用了,东芝的策略正转向系统级解决方案,功率器件(MOSFET/SiC)和车载高速通信两条线并行推进,同时在供应链上采用“日本提供晶圆+中国国内完成封装”的合作模式。
AI 数据中心供电链路:从高压AC-DC到POL点负载的技术演进
大算力GPU的功率密度一路飙升,逼得服务器机架供电架构从传统的12V向48V、甚至高压直流(HVDC)转型。这背后是实打实的工程挑战。
不过,刘文鑫也指出,12V架构不会那么快消失。主控、传感器和一些控制开关这类低压器件,短期内不可能全面切换到高压信号系统。所以未来几年,市场大概率会维持12V与48V并行的兼容架构。东芝针对不同电压节点,做了全链路的产品布局。

来源:与非网摄制
在高压输入端,东芝祭出的是一颗采用顶部散热(Top-side Cooling)设计的SiC QDPAK分立器件,目标直指固态变压器(SST)和固态断路器(SSCB/SSTB)市场。传统封装的散热路径主要依赖向下传导至PCB,热量容易在板面堆积。而QDPAK封装直接把热损耗通过上方散热片带走,在3kW级的AI服务器电源和通信电源应用中,能有效缩减PCB面积、降低系统热阻,协助系统冲击80 PLUS钛金级/白金级效能指标。举个例子,其1.6kW LLC AC-DC参考设计,在230V输入、100%负载下,实测转换效率做到了96.7%。
在机柜与板级端,随着48V架构逐步放量,部分65V以下的低压MOSFET需求重心,预计会向80V至100V高耐压产品转移,比如东芝Gen.11 300mm工艺线产品就很对路。除了48V用的eFuse,针对板级点负载(POL),东芝还推出了低压高速总线开关,专门负责CPU到PCIe端口之间的高速线路切换,技术指标能兼容未来的PCIe Gen5至Gen6规格,确保高带宽数据传输时的信号完整性。
车载系统:马达控制芯片的整合化与 10G 以太网骨干网
整车开发迭代周期现在被压缩到一年甚至几个月,Tier1厂商的BOM成本和验证时间压力可想而知。东芝在车载马达控制和电子电气架构(EEA)上的技术储备,主要围绕三个方向展开:高耐压、高集成度、高带宽。
在耐压方面,车载外设马达(比如天窗、水泵、EPS电子助力转向)正在从12V系统向48V/96V高压平台迁移。过去12V系统用40V耐压器件就行,未来48V系统对MOSFET的耐压要求直接跳到80V/100V。而针对96V车载平台,东芝已经在研发150V的下一代高压MOSFET。封装方面,东芝在部分产品上把三个漏极引脚(Drain Pins)做了整合一体化优化,连在同一条线上,能有效降低从封装框架引入的寄生电阻,在极端通流工况下给Tier1的电路设计留出更多余量。
在集成度方面,以车载水泵控制参考模型SmartMCD™(TB9M003FG)为例,这颗芯片在单一芯片内集成了Cortex-M0内核、LDO、LIN收发器和三相马达驱动。相比那些用多芯片打线绑定的方案,单芯片结构能显著降低芯片内部热阻,提升封装可靠性。

来源:与非网摄制
还有一个值得注意的细节:为了解决低成本M0内核做无感矢量控制时的算力瓶颈,芯片内部嵌入了专用的马达控制FOC硬件运算电路(专用ASIC IP)。这套电路负责处理复杂的控制算法,不占用CPU算力,能在低功耗下实现正弦波PWM驱动,算是把硬件资源用到了极致。
在高带宽方面,自动驾驶和多媒体数据传输对车内骨干网络的带宽要求越来越高。东芝的主力推广型号TC9563系列车载以太网桥接芯片,最高支持双端口10Gbps的带宽,并集成了多路PCIe开关,负责在以太网协议与PCIe协议之间进行低延迟高速转换,专门用来支撑主机厂下一代中央集中式或区域架构的节点衔接。
来源:与非网摄制
供应链与细分市场策略:产能扩张、裸Die合作与错位竞争
为了应对全球和中国市场功率半导体需求的增长,刘文鑫透露,东芝日本加贺工厂在2025年投产了全新的12英寸(300mm)硅基功率半导体生产线。2026年这条产线全面量产后,东芝的硅功率半导体整体产能将提升至2021年时的3.5倍,用来保障全球供应链的交付稳定性。
面对中国本土功率半导体厂商市占率不断上升的现实,东芝在商业模式上采取了更灵活的合作方式。他们可以提供车规级晶圆裸Die,交给中国国内的合作伙伴进行后道封装、测试与模组组装,共同把产品推向xEV主驱逆变器(比如1200V/750V逆导型RC-IGBT、SiC MOSFET)市场。这种模式的好处很明显:既能减轻东芝在海外建立全新封装产线的资本投入压力,又能加快本土客户的响应速度。

来源:与非网摄制
在展台上,记者还看到了东芝的SCiB钛酸锂电池方案。老实说,钛酸锂电池的体积能量密度确实偏低,在追求长续航的乘用车市场里有点施展不开。但它的优势也很突出:极高的安全性(不易析锂造成内部短路)、3分钟快充快放、以及传统锂电2-3倍的超长循环寿命。基于这些物理特性,东芝在中国市场正重点转向部分细分领域进行错位竞争:
- 在高铁及工业移动端:利用其高安全性与宽温充放电特性,SCiB已成功应用于智能高铁的应急牵引系统。在工业物流机器人(AGV)领域,利用快充特性,当机器人检测到电量低于2%时,可在充电座通过大电流快充,3分钟内充至60%即可重新投入运行,免去了工厂因充电时间过长而需要备用车辆的购置成本。
- 在数据中心与电网波动场景:在突发断电工况下,钛酸锂电池支持50C至100C的超高放电倍率,可搭配超级电容,在3~10秒内瞬间启动柴油发电机,适用于工业与高密度服务器机柜的紧急调压与电力备用。
写在最后
针对Tier1厂商研发周期缩短的现状,东芝参考设计中心(Reference Design Center)向设计人员开放了统包式(Turnkey)开发支持。官方网站公开了通用的电路原理图、PCB焊盘数据、Gerber加工数据及示例软件,并提供兼容PSpice和LTspice的高级系统级仿真模型,方便工程师进行电源设计网络(PDN)和EMC仿真,以降低研发前期的测试与试错成本。
另外,值得关注的是,随着具身智能与工业机器人市场热度持续升温,东芝正加速调配研发资源。除了目前的车载与服务器电源,东芝已有的机器人关节与灵巧手马达驱动芯片技术,将成为下一阶段的产品推广重点。
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