三星启动第九代QLC V-NAND量产 面向AI时代

三星近日正式宣布，其首款1太比特（Tb）QLC第九代V-NAND已步入量产阶段。该时间节点距今年4月TLC版本第九代V-NAND启动量产仅隔四个月，凸显出三星在高容量、高性能NAND闪存领域布局的显著提速。

三星半导体1TB QLC第九代V-NAND

今年四月，三星率先启动首批三层单元（TLC）第九代V-NAND量产，如今再次领先实现QLC第九代V-NAND量产，此举进一步强化了其在高容量、高性能NAND闪存市场中的领导地位。随着AI应用对存储容量需求急剧攀升，企业级SSD市场迎来显著增长，QLC版本凭借更高容量密度的优势，与TLC版本形成互补，构建出完整的产品矩阵。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur明确表示：“在距上次TLC版本量产仅四个月后，QLC第九代V-NAND产品成功启动量产，使我们能够提供满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。” 从企业级SSD市场持续增长的趋势来看，AI应用对存储性能的要求日益严苛，三星显然计划通过QLC与TLC双线并进的策略，持续巩固其在存储市场中的优势地位。

按照三星的规划，QLC第九代V-NAND将首先应用于品牌消费类产品，随后逐步拓展至移动通用闪存（UFS）、个人电脑及服务器SSD，最终覆盖云服务提供商等各类客户。

三星半导体1TB QLC第九代V-NAND

此番QLC第九代V-NAND集成了多项技术革新，值得深入解析。首先是三星领先的通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching），依托双堆栈架构实现了业内当前最高的单元层数。TLC第九代V-NAND积累的技术经验得以复用——存储单元面积与外围电路均经过优化，最终位密度较上一代QLC V-NAND提升了约86%，这一增幅令人瞩目。

另一项关键创新是预设模具（Designed Mold）技术，该技术可精细调整存储单元的字线（WL）间距，保障同一单元层内及不同单元层之间存储单元特性的一致性，从而获得最优性能。随着V-NAND层数增加，存储单元特性的一致性愈发关键，该技术使数据保存性能相比前代版本提升了约20%，显著增强了可靠性。

在写入性能方面，预测程序（Predictive Program）技术能够预判并调控存储单元的状态变化，最大限度减少无效操作。最终实现写入性能翻倍、数据输入/输出速度提升60%，这对于高吞吐量的AI训练与推理场景而言，价值不言而喻。

最后是低功耗设计（Low-Power Design）技术，数据读取功耗分别降低约30%和50%。其原理为降低驱动NAND存储单元所需电压，并仅感测必要的位线（BL），从而将功耗降至最低。在大型数据中心中，功耗的每一点降低都将累积为可观的成本节约。

总体而言，三星QLC第九代V-NAND的量产不仅完善了产品组合，更通过一系列底层技术创新，使QLC在容量、性能、可靠性和功耗四个维度全面跃升。对于正加速拥抱AI的存储市场而言，这无疑是一个极具意义的信号。