台积电澄清已购入High NA EUV光刻机用于研发
台积电CEO魏哲家在股东会上澄清了公司对HighNAEUV光刻机的采购态度。他表示，台积电早已购入该设备用于研发，以确保持续的技术领先优势，但目前因生产成本过高，暂未将其导入量产线。新一代HighNAEUV光刻机将数值孔径提升至0 55，分辨率更高，但售价也飙升至约4亿美元。台积电的策略是先
近期，围绕全球晶圆代工龙头台积电是否引进下一代High NA EUV光刻机的讨论持续升温。此前，台积电CEO魏哲家关于“不会购买”相关设备的言论，曾一度引发光刻机巨头ASML股价波动。在最新召开的股东大会上，魏哲家对此进行了更全面的阐述，澄清了公司的真实态度与战略部署。
魏哲家明确指出，台积电不仅早已购入High NA EUV光刻机，并且目前正积极投入各项研发工作。他强调，公司并未因技术领先而自满，现阶段之所以尚未将设备导入量产线，主要考量在于生产成本依然较高。台积电的策略是持续优化设备生产力、降低制造成本，待时机成熟再正式引入生产线。
购入用于研发，确保技术领先优势
魏哲家此次重新回应，主要是为了缓解外界对台积电技术路线的担忧。此前“不购买”的表态曾引发业界对其能否在未来2nm甚至1nm以下制程节点保持领先的疑虑。他如今强调已购入设备用于研究，本质上是为了让外界放心，表明台积电将继续维持技术领先地位。至于具体采购数量，他则幽默地表示“买了几台就不好意思说了”。
High NA EUV技术演进与成本挑战
自7nm节点正式采用EUV光刻机以来，该技术已发展至第二代。之前的型号为EXE:3300到3400系列，数值孔径（NA）为0.33。NA值越高，光刻分辨率也越高。而新一代的High NA EUV光刻机将NA值大幅提升至0.55，分辨率更高，型号从EXE:5000起。然而，其售价也从上一代的2-2.5亿美元大幅上涨至约4亿美元。未来，ASML还计划研发NA值达0.75的更新一代EUV光刻机，预计成本将进一步攀升，这也是台积电目前对大规模量产导入持审慎态度的重要原因。
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