联发科下一代芯片独家采用英特尔EMIB-T封装技术
联发科宣布其下一代芯片将独家采用英特尔EMIB-T先进封装技术，目标于2026年第四季度完成流片，2027年第四季度量产。此举可能应用于其定制AI芯片或SoC产品线。EMIB-T技术在标准EMIB基础上，通过引入硅通孔（TSV）显著优化了供电效率，降低了电压降，并为集成HBM4等高速内存提供了关键支
近日，半导体行业迎来一项重要战略合作。联发科正式宣布，其下一代芯片将独家采用英特尔开发的EMIB-T先进封装技术。根据规划，相关芯片预计于2026年第四季度完成流片，并将在2027年第四季度实现量产。这一合作标志着英特尔在芯片代工业务领域取得了关键性突破。
目前，联发科尚未公布具体哪些芯片产品线将应用这项技术。市场分析普遍认为，此举可能涉及面向高性能计算领域的定制AI芯片或复杂的系统级芯片（SoC）。为应对新技术带来的供应链变化，联发科据称已在积极引入新的供应商，以满足未来的订单需求。
EMIB-T封装技术的核心优势
EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）是业界首个2.5D嵌入式桥接解决方案，英特尔自2017年起便开始出货基于该技术的产品。它通过小型硅桥在单个封装内连接多个小芯片，取代了传统体积较大的中介层。而EMIB-T则是其重要的演进版本，主要针对供电效率和通信速度进行了显著提升。
传统的EMIB连接存在悬臂式供电路径，容易导致较高的电压降问题。EMIB-T技术通过引入硅通孔（TSV），从芯片封装底部直接为芯片供电，形成了一条直接且低电阻的供电路径。这一改进对于集成下一代高带宽内存（如HBM4/HBM4E）至关重要。同时，TSV也提升了芯片间的通信带宽，结合UCIe-A互连技术，可将数据传输速率提升至32 Gb/s或更高。
值得注意的是，除了联发科，科技巨头谷歌也显示出对英特尔封装技术的浓厚兴趣。有传闻称，谷歌计划于2027年发布的TPU v9同样可能采用EMIB封装。作为谷歌定制TPU的合作伙伴，联发科很可能与谷歌共同评估了英特尔的技术方案。此次合作也意味着半导体供应链在未来几年将迎来全新的格局变化。
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