小米上调手机出货目标 全年销量预期提升
小米将2026年智能手机出货目标从约9000万部上调至1 1亿部,增量主要来自低端机型。原因在于内部认为存储行情有望反转,此前受存储涨价影响曾两次下调目标。下游厂商对涨价抵制情绪升温,价格上涨动能或现拐点。
7月21日,供应链传来一个值得关注的信号:小米已将2026年全年智能手机出货目标,从大约9000万部上调至1.1亿部,增幅约16%。值得注意的是,此次调高的增量主要来自低端机型。
一位接近小米的人士透露,这次上调出货目标的原因,是小米内部认为当前的存储行情有望迎来反转。要知道,此前受上游存储芯片短期紧缺及成本持续上涨影响,小米曾在今年两次下调其出货目标。
时间拨回2026年1月,我们曾独家报道,受上游供应链存储涨价影响,小米、OPPO、vivo、传音等多家手机厂商下调全年整机订单数量,其中小米下调幅度超过20%。此后,小米2026年出货目标从最初的约1.7亿部(2025年实际水平)一路降至1.35亿部。到了6月30日,日经亚洲援引知情人士报道称,小米进一步下修全年出货预期约30%,至9500万部左右,较年初预测缩水超过40%。
行业人士透露,目前手机等下游厂商对当前存储涨价已出现明显抵制情绪。OPPO、vivo在前不久拒绝了三星第三季度的报价,尽管该报价相比前两个季度涨幅并不算大。
那么,这次小米上调出货目标释放了什么信号?简单来说,存储下游厂商已不愿再为持续攀升的存储成本买单。当需求端的容忍度触及天花板,价格上涨的动能很可能出现拐点。
回顾这轮“超级上涨周期”。自2025年下半年起,全球存储行业就进入暴涨阶段。据TrendForce数据,2025年第三季度DRAM价格同比上涨171.8%,第四季度在此基础上再涨45%—50%。进入2026年,涨幅继续扩大:第一季度DRAM合约价涨幅达90%—95%,NAND Flash涨幅达55%—60%,双双创下历史最大单季涨幅;第二季度DRAM环比再涨58%—64%,NAND Flash环比涨54%—75%。
这轮涨价的根源在于供需结构严重失衡。三星、SK海力士、美光三大巨头将大量先进制程产能转向利润更高的HBM(高带宽内存)和服务器DRAM。全球约70%的内存产能被数据中心消耗,手机、PC等消费终端成了“产能挤出”中被牺牲的那一块。
2026年4月,三星正式停止接收LPDDR4类产品的新增订单,而美光和SK海力士早在2025年底便已不再接单。这意味着,千元机最核心的“廉价内存”正从市场上消失。行业测算显示,200美元以下低端机的存储成本占BOM(物料清单)超过30%;而800美元以上高端机,这个比例不到10%。面对同样的DRAM涨幅,低端机零售价需涨40%—50%才能维持利润,而高端机只需涨5%—8%。低端机被卡得最难受,这是不争的事实。
受此影响,全球智能手机市场预测被一轮轮下修:Counterpoint Research在6月初将2026年全球出货量预期下调至约10.8亿部,同比降幅从年初预测的2.1%扩大至13.9%,创2013年以来新低;IDC同期预计全球出货量同比下滑13%至约11亿台;TrendForce集邦咨询也将预测从年增0.1%修正为年减2%。
不过,需求端的容忍度触及天花板,并不意味着价格会立刻回落。多位行业人士指出,尽管下游厂商开始抵制,但当前存储芯片短缺的事实仍难以改变。一方面,AI数据中心对HBM和企业级存储的需求仍在激增,三大原厂将大量先进产能转向高利润领域;另一方面,三星、SK海力士、铠侠等头部存储原厂仍在继续减产消费级存储,以维持高价策略。
据市场研究机构Omdia数据,三星电子2026年NAND晶圆产量将从2025年的490万片降至468万片,SK海力士从约190万片降至170万片,铠侠亦从480万片调整为469万片。与此同时,三大原厂的资本开支正结构性转向HBM和服务器DRAM,消费级存储产能被进一步压缩。
截至发稿,小米、OPPO、vivo方面均未对上述消息做出回应。
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