三星SK海力士引领大容量QLC eSSD,HBM和DRAM重要性减弱
三星与SK海力士因HBM和通用DRAM需求减弱,转向大容量QLCeSSD市场。此类产品可存储KV缓存、减轻GPU显存负担并降低运营成本,合约价已涨80%,或引发NAND闪存价格大幅上涨。
过去一年多,存储芯片市场经历了一轮显著的涨价潮。超大规模云服务商斥巨资大量采购HBM和通用DRAM用于数据中心建设,供应紧张推动价格持续攀升,这股涨价压力最终传导至整个消费电子领域——令消费者感到明显负担。如今,随着AI服务器出货规模持续扩大,数据处理类型不断演变,加上供应链结构性难题依然存在,存储芯片的技术要求也在悄然发生变化。

据Wccftech报道,业界正将更多目光投向eSSD(企业级固态硬盘)。三星和SK海力士希望通过这类产品帮助超大规模云服务商降低服务器占用空间与能耗,同时自身也能获得丰厚利润。大容量QLC eSSD成为关键产品——尽管其耐用性不及TLC或MLC产品,但具备更大容量和更低成本的优势。
借助大容量QLC eSSD,可存储海量临时上下文数据(即Key-Value cache,KV缓存),这有助于缓解GPU显存压力,维持高效工作流程,同时降低AI数据中心的日常运营成本。大容量QLC eSSD已从单纯的存储介质演变为能够卸载并支持高负载AI任务的设备,与之对应的合约价格已上涨80%。
市场逐渐意识到,超大规模云服务商对存储需求的持续增长,极可能引发NAND闪存价格大幅上涨,类似此前DRAM经历的情况。事实上,消费级SSD的价格也在不断攀升,虽然涨幅不及DRAM那般夸张,但照此趋势发展,恐怕很快会让普通消费者难以负担。
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