DDR5内存突破16000MT/s 第三代MRDIMM芯片组正式发布

2026年7月31日，瑞萨电子正式发布了第三代DDR5 MRDIMM芯片组解决方案。此次推出的全新方案，将服务器级DDR5 MRDIMM的传输速率提升至16000 MT/s，相较于第二代产品，带宽实现了25%的显著增长。

该方案的核心组件包含两颗芯片：第三代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD，型号RRG5013）与多路复用数据缓冲器（MDB，型号RRG5103）。这两款产品将于8月4日至6日在美国圣克拉拉举行的FMS 2026展会上首次公开亮相。

MRDIMM架构在第二代产品中已充分验证了其成熟度与可靠性。第三代在延续原有设计的基础上，进一步挖掘性能潜力，同时保持了标准DIMM的外形规格与系统兼容性。对于服务器平台而言，这无疑是一个利好——无需进行破坏性的架构调整，即可直接获得更高性能的内存支持，从而降低升级成本与风险。

瑞萨提供的MRDIMM产品组合覆盖了完整链路，包括MRCD、MDB、电源管理芯片（PMIC）、SPD Hub以及温度传感器。客户在跨代扩展MRDIMM性能时，能够维持设计上的连续性，这对产品迭代与长期规划至关重要。

第三代方案还引入了多项系统可视性与鲁棒性增强功能，例如器件均衡自训练模式（DESTM）质量指示状态。该功能允许用户对时序与接收器均衡训练进行微调，以最大化信号裕量。简而言之，这为用户提供了更充裕的调优空间，确保系统在极限性能下依然能够稳定运行。

在功耗方面，瑞萨表示第三代方案在设计上充分考虑了系统级能效，助力客户在带宽需求持续增长与散热、功耗约束之间实现平衡。具体的功耗对比数据将在产品文档中详细披露。目前，瑞萨正与主流CPU及平台合作伙伴紧密协作，全力推动MRDIMM Gen 3在下一代服务器平台中的落地应用。

MRCD（RRG5013x）与MDB（RRG5103x）现已向部分客户提供样品，其中包括所有主要DRAM供应商。量产时间预计为2027年下半年。这意味着，这款高性能内存解决方案距离正式商用已近在咫尺。