SK海力士超越三星，首登全球DRAM制造商榜首

8月17日消息，半导体行业迎来历史性转折点。在AI浪潮推动的HBM（高带宽存储器）需求激增，以及与英伟达独家供货合作的双重助力下，SK海力士在2025年上半年成功超越三星电子，终结了后者长达33年的DRAM市场霸主地位。

最新数据显示，三星电子DRAM业务遭遇重大挫折。根据其最新半年报，2025年上半年三星DRAM营收市占率骤降至32.7%，较2024年底的41.5%下滑8.8个百分点，创下自1999年公司开始披露该数据以来的最大跌幅。这也是三星近十年来首次跌破40%的市场份额大关，上一次出现类似情况还要追溯到2014年（39.6%）。业内人士分析，三星未能打入英伟达HBM供应链是其市场份额下滑的关键因素，尽管目前仍为AMD和博通供应HBM3E产品。

反观SK海力士，其市场表现可谓一路高歌猛进。得益于生成式AI的爆发式增长，公司DRAM市占率从2024年的27.7%稳步提升至2024年的29.9%，2024年进一步增至33.4%，最终在2025年上半年达到36.3%，实现了对三星的历史性超越。

自2024年3月成为英伟达HBM3E核心供应商以来，SK海力士一直保持着稳定的供货关系。Counterpoint Research最新报告显示，2025年第一季度，HBM产品已占到该公司DRAM营业利润的54%，充分印证了AI芯片市场的巨大潜力。

美国市场成为SK海力士业绩增长的重要引擎。2025年上半年，其美国子公司销售额同比暴涨103%，达到24.7万亿韩元（约合1277.98亿元人民币）。7月29日，英伟达高层专程造访SK海力士美国分部，进一步彰显了双方的战略合作关系。

市场格局的变化也直接反映在投资者行为上。2025年上半年，SK海力士散户股东人数增长21.3%，超过三星18.9%的增幅。具体来看，三星股东数从425万增至505万，而SK海力士则从56.1万跃升至68.1万。分析师普遍认为，这体现了市场对SK海力士在HBM领域技术优势的认可。

SK证券分析师韩东熙指出："HBM产能直接影响整体DRAM产出。在当前市场环境下，HBM合约量已成为观察存储器行业前景的最重要指标。虽然竞争日趋激烈，但SK海力士凭借技术积累，短期内仍将保持领先优势。"

面对市场变化，三星电子表示将通过多元化战略应对挑战。在半年报中，三星强调："下半年将继续以盈利为导向，积极布局AI服务器市场，推出包括HBM、大容量DDR5和服务器用LPDDR5x在内的全系列产品。"

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