英伟达拟自研HBM内存Base Die：3nm工艺，2027下半年试产
8月19日消息，据台媒《工商时报》16日报道，英伟达已正式启动自研HBM内存基础裸片（Base Die）的计划。未来，英伟达的HBM内存供应链将采用“存储原厂DRAM裸片 + 英伟达自研基础裸片”的新组合模式，这一布局或将对下一代HBM市场的竞争格局带来深远影响。
据了解，英伟达自研的HBM Base Die将采用3nm先进制程工艺，预计在2027年下半年进入小规模试产阶段。这一时间点大致与其“Rubin”之后的下一代AI GPU——“Feynman”的推出节奏相吻合。
随着对传输速率和功能要求的不断提高，自HBM4起，HBM内存的基础裸片已逐渐转向逻辑半导体工艺。在这一领域，英伟达所积累的设计经验明显领先于SK海力士等传统存储半导体制造商。
英伟达选择自研Base Die，不仅有助于增强其在HBM内存采购中的议价能力，还能更灵活地引入一系列高级功能。此外，该策略也将为采用NVLink Fusion IP的第三方ASIC芯片提供更丰富的模块化组合方案，进一步扩展其生态影响力。
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