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中微半导体发布六款新设备,覆盖刻蚀、ALD与外延工艺,推动芯片制造升级

中微半导体发布六款新设备,覆盖刻蚀、ALD与外延工艺,推动芯片制造升级

热心网友 时间:2025-09-06
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中微半导体发布六款新设备,覆盖刻蚀、ALD与外延工艺,推动芯片制造升级

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在 CSEAC 2025 第十三届半导体设备与核心部件及材料展上,中微半导体设备(上海)股份有限公司推出了六款全新的半导体制造设备,涵盖刻蚀、原子层沉积(ALD)和外延工艺等多个关键环节。

其中,新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备 Primo UD-RIE 是基于成熟的 Primo HD-RIE 结构进行全面升级的成果。该设备配备六个单反应台反应腔,采用更低频率、更大功率的射频偏压电源,提供更强的离子轰击能量,从而满足高深宽比刻蚀对精度和效率的高标准要求。此外,该设备还引入了多项自主研发的创新技术,包括动态边缘阻抗调节系统、上电极多区温控系统、可切换温度的多区控温静电吸盘以及主动控温边缘组件,有效提升了晶圆边缘区域的刻蚀良率。

另一款刻蚀新品是 Primo Menova 12 英寸 ICP 单腔刻蚀设备,专为金属刻蚀特别是铝线和铝块加工设计。该设备可广泛应用于功率半导体、存储器及先进逻辑芯片制造领域。

在原子层沉积方面,公司推出了 Preforma Uniflash 12 英寸 ALD 设备的金属栅系列,包含 TiN、TiAl 和 TaN 三个子系列,能够满足先进逻辑芯片和存储器件在金属栅工艺中的多样化需求。该系列产品采用公司自主研发的双反应台设计,系统最多可配置五个双反应台反应腔,显著提升了生产效率,达到行业领先水平。

在外延工艺方面,公司发布了全球首套双腔减压外延设备 PRIMIO Epita RP。该设备具有全球最小的反应腔体积,最多可配置 6 个反应腔,具备灵活的生产能力。通过减少耗材使用量,有效降低了生产成本,同时提高了整体生产效率。

来源:https://news.zol.com.cn/1041/10417473.html

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