中微半导体发布六款新设备，覆盖刻蚀、ALD与外延工艺，推动芯片制造升级
在 CSEAC 2025 第十三届半导体设备与核心部件及材料展上，中微半导体设备（上海）股份有限公司推出了六款全新的半导体制造设备，涵盖刻蚀、原子层沉积（ALD）和外延工艺等多个关键环节。
其中，新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备 Primo UD-RIE 是基于成熟的 Primo HD-RIE 结构进行全面升级的成果。该设备配备六个单反应台反应腔，采用更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更强的离子轰击能量，从而满足高深宽比刻蚀对精度和效率的高标准要求。此外，该设备还引入了多项自主研发的创新技术，包括动态边缘阻抗调节系统、上电极多区温控系统、可切换温度的多区控温静电吸盘以及主动控温边缘组件，有效提升了晶圆边缘区域的刻蚀良率。
另一款刻蚀新品是 Primo Menova 12 英寸 ICP 单腔刻蚀设备，专为金属刻蚀特别是铝线和铝块加工设计。该设备可广泛应用于功率半导体、存储器及先进逻辑芯片制造领域。
在原子层沉积方面，公司推出了 Preforma Uniflash 12 英寸 ALD 设备的金属栅系列，包含 TiN、TiAl 和 TaN 三个子系列，能够满足先进逻辑芯片和存储器件在金属栅工艺中的多样化需求。该系列产品采用公司自主研发的双反应台设计，系统最多可配置五个双反应台反应腔，显著提升了生产效率，达到行业领先水平。
在外延工艺方面，公司发布了全球首套双腔减压外延设备 PRIMIO Epita RP。该设备具有全球最小的反应腔体积，最多可配置 6 个反应腔，具备灵活的生产能力。通过减少耗材使用量，有效降低了生产成本，同时提高了整体生产效率。
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