SK海力士成功量产HBM4芯片，AI算力与能效显著提升

SK海力士近日宣布突破性进展，成功研发面向人工智能应用的新一代HBM4高带宽存储器，并构建起全球首条量产产线。这一里程碑式的进展进一步巩固了公司在AI存储技术领域的领先优势，为应对指数级增长的AI算力需求提供了突破性的存储解决方案。

技术资料显示，HBM4实现了性能和能效的革命性升级。其数据传输通道数从上一代的1024条提升至2048条，不仅将带宽翻倍，更实现了40%以上的能效提升。这使得HBM4当之无愧地成为目前全球最快、最高效的存储器产品。性能测试表明，采用HBM4的AI系统可获得最高69%的性能跃升，同时大幅降低数据中心电力消耗，有效解决当前AI基础设施建设面临的能源瓶颈问题。

在工艺技术层面，HBM4采用了SK海力士最先进的1b纳米级（10nm）DRAM工艺，并结合了全新升级的MR-MUF（批量回流模制底部填充）封装技术。这项创新技术通过在芯片堆叠过程中注入液态复合保护材料并进行固化处理，不仅简化了制造流程，更显著改善了散热性能。相比传统封装方案，MR-MUF技术能更好地控制芯片堆叠过程中的机械应力，提升结构的平整度，为大规模稳定生产奠定了坚实基础。

SK海力士HBM业务负责人赵珠焕副社长强调，HBM4的成功研发具有划时代意义。公司将持续优化产品组合，确保为客户提供兼具高性能、低功耗和卓越可靠性的存储产品，从而强化在AI存储领域的技术领先优势。他特别指出，在AI应用对存储性能需求飞速攀升的背景下，HBM4将成为推动行业发展的关键驱动力。

技术参数方面，HBM4的运行速率突破了行业标准规范的8Gbps限制，达到了惊人的10Gbps以上。这意味着它能够更出色地支持计算密集型AI任务，为机器学习训练和推理场景提供极致的存储性能保障。业内预计HBM4的普及应用将全面提升AI服务的响应效率，并显著降低整体运营开支。

SK海力士AI基础设施营销总裁金柱善表示，HBM4不仅仅是技术突破，更是解决AI时代核心痛点的战略性产品。公司将通过持续创新，构建覆盖AI全场景应用的存储产品矩阵，致力于成为"AI全栈存储方案提供商"。据透露，HBM4目前正处于客户测试认证阶段，预计短期内即可实现规模化商业部署。

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