大摩：NAND芯片供需反转，AI驱动下投资前景看好

人工智能技术的深入应用正在重塑芯片产业格局，带动投资热点从传统逻辑芯片快速向内存市场转移。摩根士丹利最新分析报告指出，全球存储器行业正步入新一轮上行周期，尤其是NAND闪存市场已展现明显回升迹象，企业级SSD需求的迅猛增长成为关键催化剂。

AI数据中心建设浪潮正深刻影响存储市场定价机制。三星电子日前率先将DRAM产品价格上调20%-30%，并将NAND闪存交货期延长至6个月以上，美光、闪迪等厂商相继跟进调价。业内专家分析，这一轮价格波动不仅是短期供需失衡的体现，更标志着行业周期性拐点的到来。

大摩报告特别强调当下是内存市场的关键转折期。相较于传统DRAM和HDD市场，NAND闪存市场因其独特供需结构展现出更强劲的上行动能。分析师预测2026年将出现存储器价格触底回升行情，其中NAND价格涨幅有望领跑全行业。投资建议方面，重点关注专注NAND生产的铠侠、闪迪，以及三星和SK海力士等存储巨头。

市场回暖的核心支撑来自库存水平回归正常。经历漫长去库存周期后，全球内存厂商库存水位已趋于合理。PMI指标与非AI半导体收入增长的关联性分析进一步验证了这一复苏趋势。值得注意的是，AI应用初期导致的存储与逻辑芯片周期错配现象正在逐步修复。

企业级存储需求的爆发式增长成为本轮周期的核心引擎。为应对AI推理业务扩张和HDD供应限制，云服务商已提前启动2026年存储设备采购计划。数据显示，头部客户的eSSD订单规模已达200EB，叠加AI相关需求的150EB增量，远超行业预期。这一需求暴涨直接推动闪迪股价年内飙升95%，铠侠上涨75%，显著跑赢半导体板块平均表现。

价格预测方面，市场可能经历"W型"筑底过程。虽然2025年下半年部分品类价格或现波动，但2026年将迎来更持久的上涨行情。据TrendForce预估，2025年Q2 PC DRAM价格上涨3%-8%，而NAND价格有望在2026年上半年实现15%-20%的涨幅。需要说明的是，长江存储的产能扩张主要聚焦国内市场，对全球供需影响有限。

供应端保持罕见的克制态度形成市场新特征。尽管2026年NAND设备capex预计增至138亿美元，但扩产速度仍低于DRAM领域。这既源于厂商的资本自律，也反映出对高利润DRAM业务的资源倾斜。这种供给侧约束或将延长NAND市场的供应偏紧格局。

在具体投资标的选择上，报告着重分析了行业核心玩家。铠侠凭借领先的BiCS-8技术在企业级市场占据优势，财务杠杆效应将放大其盈利弹性。闪迪虽然eSSD市占不高，但将持续受益于行业普涨，新一代产品有望提升竞争力。三星和SK海力士作为全品类存储龙头，将充分享受行业复苏红利。模组厂商如江波龙、群联电子等也将从中获益。