复旦研发全球首颗硅基二维混合闪存，突破算力瓶颈

在当前大数据与AI技术爆发式增长的背景下，数据存取速度已成为制约计算性能提升的核心瓶颈。现有存储技术通常面临性能与容量的天平抉择：内存DRAM虽有超高存取速度，却无法实现大容量存储；NAND闪存具备出色的存储密度，但其响应速度始终是硬伤。

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复旦大学研究团队近期在国际顶级期刊《自然》发表重要研究成果，研发出全球首个基于二维材料与硅基技术的混合结构闪存芯片。这项革命性技术通过巧妙融合新型二维半导体与传统硅基工艺，为突破存储器的性能天花板提供了创新方案。

二维半导体材料因其独特的物理特性被视为"后摩尔时代"的重要选择。当传统硅工艺接近物理极限时，这种仅由原子级厚度（小于1nm）构成的新型材料展现出显著优势。然而要实现这类超薄材料与传统硅基工艺的无缝集成，同时保持其本征特性，成为困扰学界多年的技术难题。

研究团队此前公布的"破晓"二维半导体存储原型，已证实其数据存取速度可达传统闪存的百万倍量级。但要实现产业化应用，必须攻克二维材料与硅衬底的集成挑战。经过五年不懈探索，团队独创的材料键合工艺将芯片制造良品率提升至94.3%，远超当前集成电路市场89%的平均水平。

此项技术创新带来的突破不仅体现在速度提升。新型混合架构芯片在维持高性能的同时，更能大幅降低功耗和制造成本，为AI训练等数据密集型场景提供更优解。实测数据显示，包含二维材料的存储单元在能效比、读写延迟等关键指标上均表现出卓越性能。

目前团队已明确量产路线，将通过筹建中试基地与产业伙伴深度协同，力争未来3-5年内实现兆级别集成度的产品化。这项源自中国科研团队的原创突破，正在为全球半导体产业开辟全新的技术发展方向。