英伟达Feynman显卡首发1.6nm工艺：性能飞跃与三大技术突破

10月30日最新消息，NVIDIA在刚刚结束的GTC华盛顿大会上推出了多款重磅AI产品，其中基于Rubin GPU核心的多款高性能AI服务器尤其引人关注。

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本次大会上，NVIDIA还首次披露了下一代GPU产品——代号Feynman的全新架构。该命名致敬美国理论物理学家理查德·费曼，这位量子力学领域泰斗曾于1965年荣获诺贝尔物理学奖。

虽然Feynman架构的具体规格尚未公布，但已知将搭载新一代HBM内存，预计最早要到2027年才会正式问世。

值得注意的是，Feynman这一代GPU将迎来重要技术突破——首发台积电A16制程工艺，即1.6纳米级别的先进制程。这是2纳米节点的下一代技术，实质上可视为完整版的2纳米工艺。

除了继承N2工艺的GAA晶体管架构外，A16工艺还暗藏一项绝技：引入了背面供电技术。这项技术与Intel在18A工艺中采用的PowerVia方案类似，但台积电的背面供电技术路线有所不同，采用的是SRP背面供电方案，不仅能提升芯片密度和性能，还能显著增强供电能力。

根据台积电官方数据，相比N2P制程，A16在相同工作电压下性能提升8-10%，相同运行速度下功耗降低15-20%，芯片密度高达1.10倍，特别适用于具有复杂信号线路和高密度供电线路的高性能计算产品。

总体而言，A16工艺相比N2工艺更适合AI芯片，能效表现更为出色。这一优势与未来AI芯片功耗持续攀升的趋势密切相关——当前Vera Rubin Ultra的功耗已经突破4000W，即便采用液冷散热也面临巨大压力，而Feynman这一代的功耗水平预计将再创新高。

NVIDIA的Feynman将成为台积电A16工艺的首个客户，这也标志着二十多年来NVIDIA首次首发台积电的全新制程工艺。要知道过去十多年间，这一殊荣一直由苹果独占。毕竟NVIDIA在今年或明年即将成为台积电最大客户，取代苹果的地位已成定局。