SK海力士加速研发超300层V10闪存 2027年量产在望
12月9日消息，据TrendForce报告披露，SK海力士已确认将于2027年初量产第十代V10 NAND闪存，其核心突破在于首次应用超过300层的堆叠架构，并集成混合键合（Hybrid Bonding）技术。
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该技术通过将存储阵列晶圆与外围电路晶圆分别制造后进行垂直键合，形成单一高性能单元，能够显著提升产品良率、数据传输效率及生产效益。
此举颠覆了行业技术路线预期——此前业界普遍认为混合键合技术需至400层堆叠阶段才会启用。
SK海力士选择在300层节点提前实现商业化部署，旨在加速确立存储技术领导地位，以应对人工智能及数据中心市场对高密度闪存的迫切需求。
同步披露的产能动态显示，受企业级固态硬盘（eSSD）需求激增驱动，其第九代NAND闪存产线已接近满载。SK海力士正积极扩大现有产品供应规模，为下一代技术量产前的市场过渡期提供支撑。
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