SK海力士联手NVIDIA,打造下一代AI NAND,性能跃升10倍
12月11日,SK海力士宣布将与NVIDIA展开深度协作,共同开发面向下一代AI应用的全新NAND解决方案,旨在突破长期困扰AI运算与数据存储之间的性能瓶颈。
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这款具有突破意义的产品预计将于2026年底推出首批工程样品,其性能相较现有产品有望实现近10倍的巨大提升。
在“2025人工智能半导体未来技术会议(AISFC)”上,SK海力士副社长Kim Cheon-seong指出,公司正聚焦于数据中心与边缘计算的不同需求,致力于开发具有更高附加值的AI内存产品。
在AI数据中心领域,SK海力士正在规划一套名为“AIN Family”的产品线。该系列包含三款各具侧重点的NAND解决方案,分别针对性能(AI-NP)、带宽(AI-NB)和容量(AI-ND)进行专项优化。
其中,AI-NP是专为大规模AI推理场景设计的核心方案,其目标是通过全新的NAND与控制器架构,最大限度地缓解运算与存储间的数据传输瓶颈,从而显著提升处理速度与能源效率。
Kim Cheon-seong透露,SK海力士正加速与NVIDIA合作推进AI-NP的概念验证,预计在2026年底推出采用PCIe Gen 6接口的版本,并支持高达2500万次IOPS。
目前,数据中心高性能企业级SSD的IOPS峰值大约在300万次左右。换言之,首批AI-NP样品的性能将达到现有产品的8到10倍。
SK海力士预计在2027年底前后,将推动支持1亿次IOPS的第二代AI-NP产品实现量产,届时其性能有望达到现有企业级SSD的30倍以上。
除了AI-NP,SK海力士也同时在优化AI-NB产品,即高带宽闪存(HBF)。其概念类似于HBM内存,但HBM是通过堆叠DRAM实现,而HBF则是通过堆叠NAND闪存来制造。

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