SK海力士联手NVIDIA，打造下一代AI NAND，性能跃升10倍

12月11日，SK海力士宣布将与NVIDIA展开深度协作，共同开发面向下一代AI应用的全新NAND解决方案，旨在突破长期困扰AI运算与数据存储之间的性能瓶颈。

这款具有突破意义的产品预计将于2026年底推出首批工程样品，其性能相较现有产品有望实现近10倍的巨大提升。

在“2025人工智能半导体未来技术会议（AISFC）”上，SK海力士副社长Kim Cheon-seong指出，公司正聚焦于数据中心与边缘计算的不同需求，致力于开发具有更高附加值的AI内存产品。

在AI数据中心领域，SK海力士正在规划一套名为“AIN Family”的产品线。该系列包含三款各具侧重点的NAND解决方案，分别针对性能（AI-NP）、带宽（AI-NB）和容量（AI-ND）进行专项优化。

其中，AI-NP是专为大规模AI推理场景设计的核心方案，其目标是通过全新的NAND与控制器架构，最大限度地缓解运算与存储间的数据传输瓶颈，从而显著提升处理速度与能源效率。

Kim Cheon-seong透露，SK海力士正加速与NVIDIA合作推进AI-NP的概念验证，预计在2026年底推出采用PCIe Gen 6接口的版本，并支持高达2500万次IOPS。

目前，数据中心高性能企业级SSD的IOPS峰值大约在300万次左右。换言之，首批AI-NP样品的性能将达到现有产品的8到10倍。

SK海力士预计在2027年底前后，将推动支持1亿次IOPS的第二代AI-NP产品实现量产，届时其性能有望达到现有企业级SSD的30倍以上。

除了AI-NP，SK海力士也同时在优化AI-NB产品，即高带宽闪存（HBF）。其概念类似于HBM内存，但HBM是通过堆叠DRAM实现，而HBF则是通过堆叠NAND闪存来制造。