三星10nm+DRAM技术获突破，新型内存容量与性能显著提升
12月17日消息，据The Elec报道，三星电子与其旗下先进技术研究所宣布，成功研发出一种新型晶体结构器件。该技术突破使得在10纳米以下制程节点制造DRAM成为可能。
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这一进展有望攻克移动内存进一步微缩所需面对的核心物理难题，为下一代设备带来容量与性能的双重提升。
传统DRAM制程在进入10纳米以下节点后，因逼近物理极限而面临严峻挑战。
三星此次推出的“高耐热非晶氧化物半导体晶体管”具备优异的高温稳定性，能在高达550摄氏度的苛刻工艺条件下保持性能不衰退，从而满足先进制造工艺对材料耐热性的严苛要求。
该晶体管采用垂直沟道设计，沟道长度仅为100纳米，并能与单片CoP DRAM架构实现集成。测试结果表明，其漏电流控制表现稳定，在长期可靠性测试中也保持了良好的可用性。
三星表示，该技术计划应用于未来的0a与0b级别DRAM产品中，目前仍处于研发阶段。
预计搭载此技术的存储芯片将有助于三星在高密度内存市场保持竞争力，并有望自2026年起陆续应用于各类终端设备。
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