SK海力士推进HBM4量产：产能扩张与时间表解析

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12月8日，韩国媒体ZDNet Korea发布报道称，存储芯片巨头SK海力士已调整HBM4的生产规划。原本计划在2026年2月启动HBM4的量产，并于明年第二季度扩大产能，现已推迟至2026年3月至4月间开始量产，而扩大生产的时间点则延后至明年第三季度。受此影响，HBM4量产所需材料及零部件的供应节奏也随之放缓。

报道援引知情人士的说法表示，SK海力士原定于2026年上半年逐步提升HBM4产能，并在第二季度末提高其在整个HBM产品中的比重。但现已决定，至少在2026年上半年，前代产品HBM3E的生产占比仍将维持在最高水平。此次产能调整的原因，被认为与英伟达的策略性调整以及市场需求变化密切相关。

消息人士透露，SK海力士在与英伟达讨论2026年HBM供货事宜时，发现英伟达对HBM3E的采购量大幅增加，这反映出几个关键信息：

1、英伟达Rubin芯片可能推迟发布：HBM4原本是为英伟达预计在2026年推出的新一代AI芯片Rubin所准备的。业界目前普遍担心，Rubin芯片的量产时间可能延后。

2、HBM3E需求依然强劲：搭载HBM3E的Blackwell系列GPU市场需求持续旺盛。为了满足市场对HBM3E的稳健需求，SK海力士选择优先确保HBM3E的供应。

英伟达Rubin芯片量产时间可能延期的原因，一方面是因Rubin芯片追求性能提升，导致其所需的配套HBM4等技术实现难度增高。HBM4的输入/输出端口数量扩大至2,048个，这是前一代产品的两倍，意味着数据传输通道更为宽广；用于控制HBM的逻辑芯片将不再采用传统的DRAM制程，而是改为采用台积电的晶圆代工制程进行生产。此外，台积电用于2.5D先进封装的CoWoS技术也面临产能瓶颈。

SK海力士对此回应称，虽然无法确认与经营策略相关的具体细节，但公司计划根据市场需求，采取灵活的应对措施。

编辑：芯智讯-浪客剑