富士通联手Intel开发HBM新品,日本拟重夺内存市场
12月26日消息,HBM内存在当前高性能AI计算领域已经成为不可或缺的关键组件,其价值增长迅速,甚至有望超越GPU本身。目前这一市场主要由三星和SK海力士两家韩国企业主导。
日本曾一度是全球内存市场的领军者,在其鼎盛时期甚至迫使英特尔退出内存市场,转而在CPU领域开辟新路。然而,日本内存产业后来也被韩国公司击垮,尔必达破产之后,再无日本公司涉足内存制造。
去年,软银与英特尔公司合作研发新型内存。如今,日本电子巨头富士通也决定加入这一联盟。他们获得了建造日本最强超算的合同,对高性能内存有着极为迫切的需求。
到2027年春季,该项目预计投资5100万美元,并制造出内存原型。2029年则将开始大规模生产。除了这三家公司会投入资金之外,日本RNI理化研究所以及日本政府也将提供资金补贴以支持开发。
这种内存的具体规格尚未公布,但它主要旨在替代HBM,预计内存容量将提升两到三倍,同时功耗降低一半。
台积电也将参与制造。这种内存主要采用3D堆叠架构,可以大幅提高存储密度。

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