骁龙展陈 SD 8.0 SDXC 存储卡：顺序读取 1.6GB/秒

IT之家1月6日消息，科技媒体TechPowerUp今日发布博客文章称，在CES 2026展会期间，威刚集中展示了旗下最新的消费级闪存及嵌入式存储产品线。

本次展台的焦点之一是旗舰级SDXC存储卡，该卡基于SD 8.0规格打造，通过引入PCIe Gen 3 x2通道与NVMe 1.3协议，实现了高达1.6 GB/s的顺序读取速度与1.2 GB/s的顺序写入速度。

这款高性能存储卡主要面向专业摄影与高清视频录制的高吞吐需求，搭载了慧荣科技SM2708主控芯片，并提供512 GB与1 TB两种大容量选择。

针对小型移动设备市场，威刚还推出了新款microSDXC存储卡。根据博客内容介绍，该产品采用SD 7.1标准及SD Express PCIe Gen 3 x1接口，同样搭载SM2708主控芯片，容量覆盖256GB至1TB，连续读取速度达800 MB/s，写入速度可达700 MB/s。

值得注意的是，威刚明确表示该款存储卡完全兼容任天堂即将推出的Switch 2游戏机，这一背书侧面印证了新一代掌机将支持更高规格的存储扩展标准。

威刚在嵌入式存储领域同样带来了创新解决方案，推出了型号为EPOP51C-02G32ATE的ePOP封装模块。该模块创新性地将eMMC存储与LPDDR4X内存集成于单一封裝内，可直接堆叠于SoC芯片上方以大幅节省电路板空间。

其内部包含32 GB的3D TLC NAND闪存与32 GB的LPDDR4X内存（HS400模式），存储部分提供190 MB/s的读取与115 MB/s的写入速度。同时展出的还有型号为EMMC51C-128GBTE的128 GB独立eMMC封装产品，读写速度分别达到300 MB/s和260 MB/s。

为满足高端移动设备对数据吞吐的严苛需求，威刚还发布了高性能UFS 3.1存储系列。其中，型号为UFS31A-512GATE的产品拥有512 GB容量，其连续读取速度飙升至2.2 GB/s，写入速度亦达到1.9 GB/s。

该系列同时提供256 GB容量版本（UFS31A-256GATE），凭借极高的读写性能，为旗舰级智能手机及平板电脑提供了极具竞争力的存储选择。