AMD推进3D V-Cache技术革新:L2缓存的堆叠时代已至
2026年伊始，AMD在引领3D V-Cache技术通过堆叠L3缓存持续主导游戏处理器市场后，并未停下脚步，正持续推进其缓存架构的演进。近期，该公司公开了一项名为“平衡延迟堆叠缓存”的技术研究，专利号为US20260003794A1，该专利揭示了AMD在下一代缓存设计中的新方向——将堆叠结构应用于L2缓存。
目前广泛应用的3D V-Cache技术，主要通过在处理核心的上下方叠加额外的L3缓存来增强数据访问效率与容量。而这项新提案则表明，AMD正着手将堆叠理念延伸至更靠近核心、速度更快的L2层级。根据提供的结构示意图，该方案采用多层堆叠设计，底层负责连接处理器核心与缓存模块，其上可集成多个缓存芯片层。例如，一个由四组512KB区域构成的2MB L2缓存模块，未来还可扩展至4MB容量。
这套堆叠机制沿用了与现有3D V-Cache相似的技术路径，借助硅通孔实现L2与L3缓存层之间的垂直互联，并将其整合于基础芯片及计算复合体之上。整体布局围绕中心垂直轴进行数据调度，由CCC单元统一管理输入输出流程。
研究文献中以1MB和2MB的平面L2缓存作为对照基准指出，传统平面结构下，1MB L2缓存的平均延迟约为14个时钟周期，而采用堆叠方式实现的同容量缓存可将延迟降低至12个周期。这意味着，堆叠型L2缓存不仅能够显著提升存储容量，还能在响应速度上达到甚至优于传统设计的水平。同时，AMD强调，这种新型架构在能效方面也展现出明显优势，有助于降低整体功耗。
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