ASML拟将EUV光源功率提至1000W:2030年晶圆产能或增50%
2月24日消息,据媒体报道,ASML首席技术专家Michael Purvis在接受媒体采访时透露,研究人员已成功找到将极紫外(EUV)光刻机光源功率从当前的600瓦提升至1000瓦的方法。这并非实验
2月24日消息,ASML首席技术专家Michael Purvis近日向媒体透露,其研发团队已成功找到将极紫外(EUV)光刻机光源功率从当前的600瓦提升至1000瓦的技术路径。
这并非实验室里昙花一现的演示,而是一套能够满足客户实际生产环境严苛要求、可稳定运行的完整系统。
随着光源功率跃升至千瓦级别,光刻机的产能也将随之实现跨越。据ASML测算,当光源功率提升至1000瓦后,至2030年,每小时晶圆处理能力可从220片提升至330片,增幅高达50%。
更值得关注的是,在产能大幅提升的同时,单片晶圆的制造成本基本保持不变。这意味着,芯片制造商在不增加洁净室面积、不额外采购新设备的前提下,仅通过对现有设备的性能升级,就能实现产能的显著跃升。
不过,这一技术何时能够真正落地,目前尚无明确时间表。外界分析认为,ASML未来可能会以升级套件的形式向客户提供光源升级服务,但并非所有型号的EUV光刻机都具备升级条件,具体适配范围仍有待进一步披露。
对于ASML而言,1000瓦显然不是终点。Purvis透露,团队已经在探索将光源功率推向1500瓦甚至2000瓦的可能性。
随着光源功率的持续攀升,EUV光刻机的产能天花板还将被不断推高,为未来更复杂、更庞大的芯片制造需求铺平道路。

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