韩国HBM与NAND人才争夺战：NVIDIA、苹果百万年薪抢人

据2月25日消息，随着内存在AI算力中的战略地位急剧提升，美国科技巨头正掀起一场针对韩国存储人才的争抢大战。

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报道称，美国科技巨头正针对三星电子和SK海力士的工程师开展定向招聘活动，旨在削弱这两家公司长期以来的市场领先优势。

本月早些时候，英伟达发布了面向HBM开发工程师的职位空缺，基础年薪高达258,750美元（约合178万元人民币）；苹果则在上个月发布了NAND产品工程师职位，年薪可达305,600美元以上（约合210万元人民币）。

报道进一步指出，中国台湾的联发科也加入了竞争，寻求HBM工程师，薪酬约为26万美元；高通同样开始在韩国招聘3D+DRAM研发人员。

谷歌与博通作为TPU合作伴侣，同步在硅谷扩充HBM人才梯队，分别招募性能评估工程师和高频接口设计验证专家。

特斯拉CEO马斯克亲自转发韩国分公司AI半导体设计师招聘启事，美光同样激进，去年下半年起从三星、SK海力士挖掘工程师，据传为核心HBM专家开出两倍现有薪资外加3亿韩元签约金的优厚条件。

面对严重的人才流失，三星和SK海力士不得不采取激进的激励措施。SK海力士在2026年初发放了创纪录的业绩奖金，金额高达月薪的2964%；三星半导体部门也发放了年度总薪资47%的奖金，这也是自AI内存热潮以来的最高水平。