存储紧缺加剧,英伟达CEO黄仁勋:乐见其成
快科技3月9日消息,全球存储芯片的供应短缺正导致价格持续飙升。虽然这迫使智能手机和个人电脑等消费类电子产品不得不随之涨价,但英伟达创始人黄仁勋对此却表现出了积极的态度。黄仁勋在近期接受采访时坦言,存
据快速科技3月9日消息,全球存储芯片供应短缺正推动价格持续飙升。这一局面迫使智能手机和个人电脑等消费类电子产品不得不随之涨价,但英伟达创始人黄仁勋对此却表现出异常积极的态度。
黄仁勋在近期接受采访时坦言,存储市场的供应紧缺对英伟达而言其实是个极好的消息。这种情况会促使客户在面对资源限制时,更倾向于直接选择性能最强的技术解决方案。
他甚至公开向各大存储厂商喊话,表示无论厂商能扩充多少产能,英伟达都会全盘接收并投入使用。这种强劲的需求表态,不仅展现了英伟达的雄厚财力与信心,也为整个存储产业的景气度提供了有力背书。
业界普遍认为,英伟达之所以无视涨价疯狂扫货,主要是为即将问世的最新Vera Rubin平台做足准备。新一代AI芯片方案对存储容量的需求量正呈现出几何倍数的增长。
以目前的GB300芯片为例,其搭载的高频宽存储HBM容量已达到288GB,相比之前GB200的192GB有了显著提升。
随着英伟达AI平台迈向下一代Vera Rubin架构,虽然容量维持在288GB,但技术规格将推进到HBM4。这一代技术采用了16层堆叠设计,工艺复杂程度远超现有HBM3E的12层堆叠。
由于16层堆叠的产能损耗率更高,生产同样的容量需要消耗更多的原始存储资源。这将进一步加剧全球DRAM供应短缺的严峻形势,让本就紧张的市场供应雪上加霜。
目前,全球三大DRAM巨头三星、SK海力士及美光虽然都在积极扩产,但新增产能主要聚焦在利润更高的HBM及企业级产品上。这意味着消费级存储市场的困局在短期内依然难以改观。
行业专家指出,至少在未来一年内,普通消费者面临的存储短缺问题依然无解。随着数据中心对高性能存储需求的持续膨胀,新一代DDR6以及移动端的LPDDR5等产品价格预计将持续走高。
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