SK海力士大连二厂将投建200层中段FG NAND产线

6月4日消息，韩媒the bell在5月28日曝光了一项重要动态：SK海力士计划在大连二厂投建一条全新的3D NAND生产线。这条产线有一个显著特点——它瞄准的是“200层中段”（大致250层左右）的浮栅（FG）结构，而不是当前行业主流的电荷阱（CT）技术。

先来了解背后的技术背景。目前几大闪存原厂几乎全部押注CT结构，唯独SK海力士通过收购英特尔闪存业务，保留了FG NAND这条技术路线。大连一厂已经实现192层FG NAND的量产，产业链和技术基础都相当扎实。

那么，接下来的发展规划如何？据韩媒报道，SK海力士去年已完成200层以上FG NAND的研发，现在正从实验室迈向工厂。他们计划在2026年第三季度先建设一条中试线——设备采购已提上日程，随后在2027年下半年进入全面量产。这一时间表并不激进，但每一步都推进得十分扎实。

为什么在当前节点上要保留、甚至扩展FG路线？核心驱动力主要来自两大关键词：QLC和AI推理。

从技术特性来看，FG结构在多比特存储方面具有天然优势。相比CT，它更适合每单元存储更多比特的QLC NAND闪存。而众所周知，AI推理场景对SSD的需求恰恰是读取密集、写入极少——这正好是QLC的用武之地。换句话说，随着大模型部署落地不断推进，市场对性价比高、大容量、读取性能出色的QLC SSD的需求将越来越刚性。

另一方面，FG路线的持续迭代也有利于Solidigm在开发中保持技术连贯性。技术路线的稳定性，在产业竞争中的价值有时比参数数字更为重要。因此，这次大连二厂的产能规划，表面上是一条新产线，实质上是SK海力士对一个技术方向的长期押注。