42mΩ低内阻锂电保护IC二合一方案重塑AI眼镜散热标准
AI眼镜面临空间有限、温升敏感等电源管理难题。赛微微电推出CW1312锂电保护IC,导通内阻降至42mΩ,休眠电流仅20nA,封装尺寸1 2×0 9mm,兼顾低功耗、小体积与高精度,有效缓解发热与续航痛点。
2026年6月3日,由芯原微电子主办的第十六届松山湖中国IC创新高峰论坛上,酷芯微、安凯微、艾为电子、芯视元、物奇微、思特威等多家企业集中展示了面向“AI眼镜”的芯片新品。这场论坛释放了一个明确信号:AI眼镜的硬件生态正在快速成型,而其中电源管理是一个绕不开的硬骨头。
AI眼镜的能源困境:分立方案或是锂电保护IC的最优路径
锂电池保护IC,这个连接电池与主板的“安全守门人”,职责非常清晰——防止过压、欠压、充电过流、放电过流。但在AI眼镜上,这套传统方案彻底失效了。
与传统智能手机不同,AI眼镜对电池系统的容忍度几乎为零。续航是用户最敏感的痛点,但眼镜内部空间比饼干渣还小,根本塞不进大容量电芯。更棘手的是温升管理——设备紧贴面部皮肤,哪怕微小的发热都会被直接放大,用户体验会瞬间崩塌。最后,轻量化和紧凑空间要求保护板要么缩到极致,要么直接把保护IC搬到主板上。
赛微微电的高级产品经理杨剑在论坛上分享了一个关键判断:从技术角度看,锂电保护IC的收益非常显著。电流减小,续航自然增加;保护IC本身的损耗降低,发热减少,充电效率提升;封装尺寸缩小,空间就释放出来了。那么,到底哪种方案最适合AI眼镜?
目前业界主流有三大技术路线,在集成度、性能与成本之间各有取舍。
第一种:单晶圆集成方案。控制电路和MOSFET设计在同一颗Die上再封装。集成度高,但受限于单一晶圆工艺,过流能力大约0.5A-4A,耐压在9V-16V之间。适合电池容量500mAh以下的简单可穿戴设备,芯片尺寸最小,空间受限场景是它的主场。
第二种:双晶圆合封方案。控制IC与MOSFET分开流片,再合封到同一封装内。电流能力提升到2A-6A,适配300-800mAh的数码配件。但问题来了——当封装尺寸压缩到2×2mm甚至更小时,合封工艺面临巨大的技术挑战,良率和成本控制难度陡增,只能覆盖部分可穿戴设备电池。
第三种:分立方案。控制IC和MOSFET是两颗独立器件。通流能力大,耐压高,但尺寸偏大,常见于手机、平板等大容量电池应用。不过,针对AI眼镜这种空间极度受限的场景,分立方案反而可能成为最优解——因为它能灵活布局,把最小尺寸的保护芯片嵌入毫米级空间,同时兼顾导通电阻、保护电流等关键参数。赛微微电正是选择了这条路线。
赛微微电CW1312:休眠电流20nA的超低功耗电源方案
赛微微电带来的第二代旗舰产品——CW1312高精度集成MOS单节锂电保护芯片,就是针对AI眼镜“小体积、低功耗、高精度”三大核心诉求而设计的。
功耗控制是这款芯片最突出的亮点。CW1312的Active工作电流仅0.7µA,休眠电流更是低至20nA,比前代CW1011功耗降低了75%。同时,导通内阻降至42mΩ,比前代降低22%,有效减少了充放电过程中的发热,终于解决了眼镜发热烫脸的顽疾。

尺寸和集成度方面,CW1312采用FCDFN-6封装,尺寸仅1.2mm×0.9mm×0.4mm,面积比前代减少64%。别看它体积小巧,过流保护能力却高达3A,复杂使用场景下的安全性完全有保障。
精度和兼容性同样表现出色。过压保护精度±15mV,过流保护精度±15%,远超行业平均水平。它还支持两级欠压保护门限和船运模式(Ship Mode),特别是CTL pin支持4电平状态,能灵活适配硅负极电池等新型电芯——这种前瞻性设计,恰恰是AI眼镜未来电池技术演进所需要的。
从整体电源架构来看,AI眼镜从充电输入端开始,就需要集成充电管理芯片与单节锂电保护IC,同时搭配超低功耗的IPU实现系统级能效优化。由于空间和功耗极度敏感,所有芯片都必须满足小型化、纳安级或微安级静态电流的设计要求,这是保障全天候佩戴体验的基础前提。
在智能眼镜待机状态下,赛微微电可提供低至约30µA静态电流总和的电源方案。这种“小尺寸+低功耗+长续航”的组合拳,正在成为AI眼镜电源管理的核心竞争力。
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