存储三巨头市值万亿美元：涨价垄断与扩产

纵观全球科技产业，市值突破万亿美元的企业屈指可数，而在这之中，存储芯片领域便占据了三席，这一现象本身就极具吸引力。

在过去一年间，SK海力士与美光的股价几乎以9倍的速度飙升，三星电子的涨幅也超过5倍。这三家存储巨头凭借强劲势头，顺利跻身“万亿美元市值俱乐部”。

具体来看：去年6月27日，美光股价约为124.7美元，到今年6月28日已攀升至1132美元，总市值稳稳突破1.2万亿美元；SK海力士方面，去年6月29日股价约180美元，今年6月26日已达1700美元，总市值约1.38万亿美元；三星电子去年6月29日股价约40美元，今年6月27日约为209美元，市值约1.4万亿美元。

这三家企业的迅猛增长背后，核心原因十分清晰：目前市面上超过90%的算力服务器中，存储芯片的市场几乎被三星、SK海力士与美光所垄断。

随着这三巨头的快速扩张，存储行业也被赋予了三个鲜明标签：涨价、垄断与扩产。

三个月狂揽800亿美元

存储芯片的涨价趋势，实际上从2025年上半年便已初现端倪。

去年4月，闪迪率先发布涨价函，告知客户产品整体涨幅超过10%，正式拉开了存储芯片短缺与涨价的序幕。随后，三星、海力士与美光等头部厂商纷纷跟进。到了2025年下半年，涨幅一度超过70%，市场呈现供不应求的局面。

这种供需失衡，直接推动了三家头部存储公司在2025年实现营收与利润的爆发式增长。

2025财年，三星电子半导体业务营收约308亿美元，营业利润约114亿美元；SK海力士营收约681亿美元，净利润约300亿美元；美光营收达373.78亿美元，净利润85.39亿美元。这一年，SK海力士的利润率高达48.5%，三星与美光的毛利率也分别达到39.4%和39.8%。

进入2026年，这种增长势头不仅没有放缓，反而进一步加速。三家半导体巨头的营收几乎翻倍，利润更是迎来约4倍的暴涨，净利率与毛利率也随之翻倍。

2026年第一季度，三星半导体业务营业总收入达530亿美元，同比增长225%，营业利润350亿美元，同比增长480%；SK海力士营业收入约330亿美元，同比暴涨198%，营业利润约240亿美元，同比增长405.5%。

再看美光最新发布的2026财年第三季度数据，增长依然在持续。该季度营收414.6亿美元，同比增长345.7%，净利润288.6亿美元，同比暴涨1398.3%。

计算下来，这三家巨头在三个月内便赚取了超过800亿美元，已超过2025年全年的利润总和。而利润高速增长背后，是净利率与毛利率的双双翻倍。2026年第一季度，三星营业利润率达66%；SK海力士高达72.7%；美光在2026财年第三季度的毛利率更是达到84.9%。

到了2026年5月下旬，这三家存储公司的市值相继突破万亿美元大关。

目前全球市值超万亿的公司共有16家，科技公司占据13席。除了这三家存储巨头，还有市值超过四万亿美元的英伟达，谷歌、苹果，超过两万亿的微软、亚马逊、台积电、SpaceX，以及刚刚迈入万亿俱乐部的博通、特斯拉与Meta。三星与SK海力士，也成为仅有的两家进入万亿美元市值俱乐部的韩国企业。

那么，究竟是哪些关键技术支撑了它们的迅猛增长？答案集中在两大核心品类：DRAM与NAND Flash。

“吸金王”：DRAM与NAND Flash

存储器大致可分为两类：一类是易失性存储，读写速度快，但断电后数据会丢失；另一类是非易失性存储，断电后数据依然保留。DRAM与NAND Flash，正好分别是这两类的代表性产品——一个属于易失性，另一个属于非易失性。

DRAM家族包含多种技术路线：如HBM（高带宽内存）、DDR5/6、LPDDR5/5X/6、GDDR6/GDDR7等。其中，DDR5/6主要用于台式机与服务器，LPDDR6/5/5X则应用于智能手机、平板及车载系统，GDDR6/GDDR7则是面向图形处理器的高速显存。

而HBM，是专为算力服务器打造的存储方案，也是技术壁垒最高的DRAM。它采用2.5D堆栈技术，需要将8层、12层甚至16层的DRAM芯片，通过TSV（硅通孔）技术垂直堆叠在一起。目前最新的技术是HBM3e与HBM4，单颗存储容量已超过36GB。三星与美光当前的HBM3E和HBM4均采用12层堆叠，最高可实现36GB容量，而它们正在研发16层堆叠、容量达48GB的HBM4。

NAND Flash，也就是我们常说的闪存，应用范围更为广泛。手机内置存储、U盘、服务器中的固态硬盘SSD，都离不开它。在AI算力场景下，存储已演进至PCIE 6.0 SSD。NAND Flash依靠3D堆栈技术，将200层甚至300至400层的芯片堆叠到一个芯片上，堆叠层数越多，技术难度也越高。例如，SK海力士已开始采用321层的固态硬盘，并计划在今年底量产375层的3D NAND Flash，三星则计划在2029年实现420层的SSD。

根据CFM闪存市场的统计数据，2025年第四季度，全球DRAM市场前三名分别为三星电子、SK海力士与美光，市场份额分别为37.1%、33.1%和20.8%。而在NAND Flash市场，前五名分别为三星、SK海力士、铠侠、闪迪与美光，份额依次为27%、22.1%、15%、12.8%和11.6%。

站在行业顶端，自然容易成为焦点。近日外媒披露，6月29日，三星电子、SK海力士与美光科技遭遇美国联邦反垄断集体诉讼，被指控合谋限制传统DRAM供应、抬高价格，加剧了内存短缺。

不过，这三家存储巨头能够达到今天的高度，背后已是近五十年的积累与博弈。

内卷、洗牌的五十年

DRAM比NAND Flash早了20年问世，但有趣的是，发明这两种芯片的公司如今都已放弃存储业务。

1970年，英特尔推出全球首款DRAM存储芯片（Intel 1103），容量仅1KB，并一度占据存储芯片80%以上的市场份额。八年后的1978年，帕金森兄弟在美国爱达荷州一家牙科诊所的地下车库里创立了美光，次年便发布了64Kb容量的DRAM。

1980年，美光成立仅两年后，行业便开启了“内卷”模式。当时日本厂商东芝、日立、富士通等大举进军存储市场，凭借极高的良品率与更低的价格，抢占了80%以上的市场份额。英特尔因无法与日本公司抗衡，只得放弃DRAM业务，转型专注于微处理器CPU。

三年后，韩国两大巨头才姗姗来迟。1983年，韩国商人郑周永成立现代电子产业株式会社，这便是SK海力士的前身。同年，三星创始人李秉喆宣布正式进军DRAM市场，并发布了用于个人电脑的64Kb容量DRAM，比美光晚了4年，比SK海力士早了两年。

1989年，东芝推出首款NAND Flash产品，闪存正式登上历史舞台。1992年底，三星从东芝获得NAND Flash设计授权，并推出自家首款NAND Flash器件。

此后的十年，存储行业进入重新洗牌阶段。韩国现代电子并购了LG半导体，一年后将现代电子彻底剥离，更名为海力士半导体。同年，日本企业也开始并购重组：NEC与日立剥离各自的内存业务，联合成立NEC日立存储器，一年后正式更名为尔必达。2000年代初期，海力士开始研发NAND Flash，2002年，三星在全球闪存市场份额中位列第一。

2003年，日本三菱电机的DRAM制造部门也被并入尔必达。此后几年，尔必达进入发展黄金期，成功在东京证券交易所上市，一度获得20%的市场份额。但在2012年之后，日本企业逐渐退出存储赛道。一方面，尔必达因难以抵挡韩国企业的竞争，加上日本经济环境的限制，最终宣布破产，并由美光收购。另一方面，东芝在2016财年净亏损高达9657亿日元，不得已将存储部门剥离并出售，到2019年正式更名为铠侠。

如今，DRAM与NAND Flash已成为三星与SK海力士的绝对统治领域。不过，两者的侧重点略有不同：三星的优势在于智能手机、电脑中的DDR5/6、LPDDR5等消费级市场，而SK海力士因更早绑定英伟达，在HBM市场中占据了更有利的位置。

算力竞争的下半场，依然聚焦于产能比拼。6月29日，SK海力士宣布将单独向韩国西南地区的半导体集群投入400万亿韩元，用于建设多座存储晶圆厂与HBM先进产线；三星电子也正式公布了未来10年总额约1000万亿韩元的投资计划；美光同样在纽约州和爱达荷州规划了庞大的全新晶圆厂建设。

不过，存储行业具有极强的周期性——产能不足时价格猛涨，但一旦需求下滑，价格也会迅速回落。这意味着，存储行业没有永远的牛市，眼下的繁荣，终有一天将迎来周期反转的考验。