三星重新推进1.4纳米研发 追赶台积电

三星在“Samsung Foundry Forum 2024”上公布的未来技术路线图，曾让业界颇为期待——2nm制程计划2025年实现大规模量产，更先进的1.4nm工艺则首次引入High-NA EUV光刻技术，原定2027年落地。然而好景不长，去年三星悄悄调整了规划：1.4nm的量产工作延后至2029年，公司把重心放在了2nm工艺的优化上，试图提升性能、降低能耗、改善良品率。背后的原因也不难理解——晶圆代工部门在当时状态下的运营亏损，确实有些失控。

不过，据TrendForce的跟进报道，三星似乎又打算重新杀回1.4nm的战场。随着台积电与英特尔计划在2028年至2029年左右实现1.4nm工艺的大规模生产，三星不愿缺席这场先进制程的竞赛，只是量产时间上可能会稍微落后于这两位竞争对手。

消息人士透露，三星最近向国内外的合作伙伴发出了请求，希望尽早开发相关工艺设备。更关键的是，三星已经在NRD-K工厂安装了ASML的下一代High-NA EUV光刻设备——这台机器将用于1.4nm工艺的特定工艺层，算得上是提前布局。

三星重新启动1.4nm项目，在外界看来是缩小与台积电差距的重要一步。台积电那边计划最早2027年3月试产1.4nm工艺，2028年下半年实现大规模生产；英特尔则已让Intel 18A-P工艺进入试点生产阶段，Intel 14预计2028年风险生产、2029年量产。相比之下，三星的节奏确实有些被动。

但现实很残酷：新一代AI芯片对半导体工艺的要求越来越高，如果三星的1.4nm在量产进度上落后太多，很可能直接丢掉市场机会。即便公司会根据实际需求调整开发和生产资源，三星恐怕也不希望自己在这场技术竞赛中掉队太多。