美光宣布超2500亿美元投资计划 股价三个月翻倍

7月9日，存储芯片行业巨头美光科技正式宣布了一项震撼行业的大消息：计划到2035年，将其在美国本土的晶圆厂及技术投资总额提升至超过2500亿美元，较此前承诺的2000亿美元再度追加500亿美元，这一投资规模在半导体领域堪称惊人。

消息公布后，美光科技股价应声大涨，盘中一度飙升超过9%，最高触及1034美元。尽管尾盘有所回落，最终仍收涨4.52%，报991.64美元，公司总市值随之突破1.12万亿美元。自4月14日的465.66美元以来，至7月9日收盘，短短三个月内股价累计上涨约113%，市值成功翻倍。在这一轮人工智能浪潮中，美光无疑是表现最为抢眼的半导体公司之一。

这笔超过2500亿美元的巨额投资，将分布在美国纽约州、爱达荷州、弗吉尼亚州等多个关键项目上，涵盖新建晶圆厂、现有产能扩充以及先进技术研发等多个领域。其核心战略目标十分明确：将美国本土的DRAM产量提升至全球总产量的40%，从而强化本土供应链的自主可控能力，减少对外部依赖。

有趣的是，就在宣布投资计划的同一天，美光位于纽约州克莱镇的新工厂完成了首次混凝土浇筑，时间节点比原定计划整整提前了一个季度。这一项目的推进速度远超市场预期。与此同时，美光还宣布斥资约30亿美元强化半导体上游材料环节，并计划与关键客户签署长达十年的晶圆供应长约。由此可以看出，美光的扩张策略正从单纯的“砸钱建厂”，转向“锁定原材料供应”与“锁定长期订单”双管齐下的新阶段。

如此激进的扩张计划，底气来源于美光刚刚交出的史上最亮眼季报。6月24日盘后，美光发布了2026财年第三季度财报：营收高达414.6亿美元，同比暴涨346%，环比增长74%，刷新公司成立以来单季营收纪录，并超出华尔街此前约356亿美元的预期近58亿美元。盈利端表现更为惊人，Non-GAAP净利润飙升至288.6亿美元，同比暴涨约1224%，接近去年同期的13倍。毛利率攀升至84.9%，创下公司自1978年成立以来的历史峰值，比2025财年同期的39%大幅提升了45.9个百分点。这一数据不仅远超行业平均水平，更首次超越英伟达同期73.6%的毛利率。财报发布后，美光股价单日大涨超过15%。

这一超强业绩的背后，是AI算力革命对高端存储芯片的疯狂需求。尤其是高带宽内存（HBM），已成为美光最大的增长引擎。机构预测，今年AI相关DRAM需求占比将突破53%。而在供应端，三星、SK海力士、美光等存储巨头，纷纷将先进产能优先投向高附加值的HBM产品，从而压缩了通用存储领域的产能投放，使得供需缺口持续扩大。全球三大DRAM原厂——三星、SK海力士和美光，合计市场份额超过九成。正是在这样的市场格局下，美光果断定下了将美国本土DRAM产能占比提升至40%的战略目标。

此前，高盛已将美光12个月目标股价从400美元大幅上调至900美元，同时维持“中性”评级。高盛还将美光2026年和2027年的营收预期与非GAAP每股收益预期分别平均上调了28%和36%，其理由是更强的行业定价趋势与持续增长的需求潜力。

值得注意的是，在美光宣布投资计划之前，韩国已经率先打响了本土存储产能扩张的“第一枪”。6月29日，韩国政府联合三星、SK集团，公布了总计4755万亿韩元的国内投资计划，围绕半导体、物理AI、AI数据中心三大核心项目全面铺开。其中，三星承诺投资2655万亿韩元，SK集团投入约2100万亿韩元。半导体是绝对重心，韩国计划在西南部光州、全罗区域投资约800万亿韩元（约合5180亿美元），新建四座存储芯片晶圆制造厂，由三星和SK海力士各承建两座，力争五年内实现韩国国内DRAM产能翻倍。

不过，也有分析人士提醒：若各大厂商集中扩产的产能在未来几年集中释放，而需求增速无法同步跟上，行业可能重新陷入下行周期。此外，先进制程的技术竞争、HBM市场份额的争夺，以及国际贸易政策的变化，都将持续影响存储厂商的长期盈利能力。这场存储芯片领域的全球棋局，才刚刚拉开帷幕。