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台积电1.4nm制程提前启动,先进工艺再突破

台积电1.4nm制程提前启动,先进工艺再突破

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2025-08-28

据台媒报道,台积电中科1.4纳米先进制程建厂,提前动起来。中科管理局昨(27)日表示,二期园区扩建水保相关公共工程将赶在9月底前完成,供应链传出,台积电中科新厂预计10月动工,初估总投资金额将达1.2兆(2338亿人民币)至1.5兆元(3508亿人民币)。

目前已知,包括营造、水泥、厂务工程等相关厂商都已陆续接获通知,台积电中科先进制程建厂工程将在近日招标,随后发包动工,相关作业正如火如荼展开。

台积电先前在技术论坛释出生产据点规划时,1.4纳米制程主要生产据点,即为原兴农球场的台中F25厂,拟规划设立四座厂房,首座厂预计赶在2027年底前完成风险性试产,2028年下半年正式量产,新厂初估营业额可望超过5,000亿元(1169以人民币)。

供应链进一步指出,中科厂2028年量产的应该是第一期二座1.4纳米制程厂房,后续第二期二座厂,不排除将推进至A10(1纳米)制程。另一方面,台积电在1.4纳米制程推进获得重大突破,稍早已通知供应商备妥1.4纳米所需设备,预定今年先进新竹宝山第二厂装设试产线。

据了解,台积电原订采用2纳米制程的宝山晶圆20厂,其中二厂将改为1.4纳米制程与研发线,三厂为1纳米制程与研发线、四厂不排除为0.7纳米制程与研发线。而中科初步规划四座厂房,第一期两座厂为1.4纳米制程,第二期二座厂不排除为1纳米制程。此外,台积电已规划在南沙仑园区投资兴建1纳米先进制程基地,以目前土地面积达500公顷来看,初估可兴建10座晶圆厂。

由此可见,这家晶圆代工龙头,在先进制程上一骑绝尘。

1.4nm,一路领先

在今年四月举办的北美技术研讨会上,台积电首次发布了其下一代尖端逻辑工艺技术A14。

据介绍,台积电的 A14 工艺基于其第二代纳米片环栅晶体管 (Nanosheet Gate-All-Accepted Transistor),以及全新的标准单元架构,与即将于今年晚些时候量产的 N2 工艺相比,A14 将在相同功耗下实现高达 15% 的速度提升,或在相同速度下降低高达 30% 的功耗,同时逻辑密度将提升 20% 以上。台积电表示,凭借其在纳米片晶体管设计与技术协同优化方面的经验,公司正在将其 TSMC NanoFlex标准单元架构升级为 NanoFlex Pro,从而实现更高的性能、能效和设计灵活性。

台积电业务发展与全球销售高级副总裁兼副首席运营官Kevin Zhang表示:“A14 是我们全节点的下一代先进硅技术。” “如果从速度来看,与 N2 相比,其速度提高了 15%,功耗降低了 30%,逻辑密度是整体芯片密度的 1.23 倍,或者至少是混合设计的 1.2 倍。所以,这是一项非常非常重要的技术。”

从相关报道可以看到,与 A16(以及 N2 和 N2P)不同,A14 缺乏超级电源轨 (SPR) 背面供电网络 (BSPDN),这使得该技术能够瞄准那些无法从 BSPDN 获得实际优势的应用——但这需要额外成本。许多客户端、边缘和专业应用可以利用台积电第二代 GAA 纳米片晶体管带来的额外性能、更低功耗和晶体管密度,但这些应用不需要密集的电源布线,传统的正面供电网络即可满足需求。当然。台积电也明白客户开发高性能客户端和资料中心应用需求,2029 年提供具背面供电的A14 版。台积电未公开确定名称,但依台积电传统命名规律,合理预期或称为A14P。展望未来,A14 在2029 年后推出最大效能版(A14X)和成本最佳化版(A14C)。

如上所述,NanoFlex Pro是A14 关键特性,这架构使芯片设计人员能微调将晶体管配置,对特定应用或工作负载实现最佳的功耗、效能和面积(Power, Performance, Area,PPA),非Pro 版FinFlex 允许开发人员在一个区块内混合搭配不同(高性能、低功耗、面积效率)单元,最佳化效能、功耗和面积。

不过,台积电尚未公开NanoFlex 与NanoFlex Pro 的差异,尚不清楚新版本是否允许单元甚至晶体管更精细控制,或有更好演算法和软件增强功能,以达成更快发展和最佳化晶体管的目标。Kevin Zhang则表示,这实际上是一种设计技术协同优化(DTCO)技术,允许设计人员以非常灵活的方式设计产品,从而实现最佳的功率性能优势。

根据最初规划,台积电计划在 2028 年投产基于 A14 制程技术的芯片,但并未透露是否会在今年上半年或下半年开始量产。考虑到 A16 和 N2P 将于 2026 年下半年(即 2026 年底)开始大规模生产,而芯片将于 2026 年上市,我们推测 A14 的目标生产时间是 2028 年上半年——有望满足下半年推出的客户应用需求。

现在,随着台积电提前启动,一切的进展可能也会被提前。

2纳米后,几无对手

之所以台积电会提前投入先进工艺的研发,与他们在2纳米上表现出色有莫大关系。先前有报告指出,台积电已从4月1日起开始接受其下一代技术的订单,主要目标是到年底达到每月5万片晶圆的产量。

而据Digitimes引述供应链消息报道。半导体供应链表示,台积电2纳米制程如期于2025年第4季放量,代工报价冲上3万美元天价,芯片大厂仍争相投片下单抢产能,年底前已开始导入量产或合作的为苹果(Apple)、超微(AMD)、高通(Qualcomm)、联发科、博通(Broadcom)与英特尔(Intel)。

展望2026年,上述六大客户量能将飙升,2027年除NVIDIA外,进入量产的客户还包括亚马逊(Amazon)旗下Annapurna、Google等逾10家大厂。

为此,台积电也上调宝山厂(Fab20)与高雄厂(Fab22)月产能规划,再加上4/3纳米产能满载至2026年底,将力助台积电抵御关税、汇率波动、成本高昂等外部挑战,2025、2026年获利超标可期。

供应链业者表示,虽然市场一度认为台积电的对手群,像是三星电子(Samsung Electronics)、日本Rapidus具有抢单实力,但台积未受任何影响,按计画持续推进制程,全球关注的2纳米将于第4季放量,按台积规划,新竹宝山F20厂和高雄F22厂,为2纳米重要基地,皆在2024年动工,2025年陆续投产。

其中,宝山、高雄至2025年底2纳米月产能共计约4.5万~5万片,2026年月产能超过10万片,再加计提前量产的美国亚利桑那州厂(Fab21)P2厂,2028年约将达20万片,而接下来的新增产能,还有以2纳米为主的美国P3厂。

Digitimes指出,2027年,除了AI GPU龙头NVIDIA外,进入量产的客户还包括Amazon旗下Annapurna、Google、Marvell、比特大陆等逾10家大厂,苹果仍为主要大客户,高通、超微与英特尔也会持续拉升投片量。其中,苹果据称是该制造商这些晶圆的最大客户,并已获得近一半的初始产能,其中大部分出货量可能将用于iPhone 18系列中的A20和A20 Pro芯片组。

而作为台积电的竞争对手,英特尔的18A节点虽仍落后台积电的2纳米制程良率,但已超越竞争对手三星,且有望在今年年底前量产。根据Keybanc Capital Markets 的分析,英特尔18A制程目前良率已进展至55%,较上季的50%有所成长;相较之下,三星的SF2 制程良率约为40%。台积电2纳米良率则为65%。

三星在也自己财报中提到,半导体的晶圆代工2纳米将于下半年量产。其中,三星2纳米芯片仅自家手机采用,台积电2纳米制程客户则有苹果、联发科、高通及超微等大厂,应用领域包含智能手机芯片和电脑中央处理器(CPU)。

另外,日本Rapidus 日前宣布2纳米制程试产成功,不过,Rapidus 的产能规模和商业模式与三大半导体厂台积电、三星及英特尔仍有很大的差距。

换而言之,2纳米赛局的胜负或许已经有答案,业界认为,台积电的生产是依据多元客户需求量身订做,由于台积电客户超过500家,生产产品逾万种,在经济规模下得以支持2纳米研发导入量产。台积电在2纳米的良率、客户结构、量产规模和市占等方面,皆遥遥领先其他竞争对手,台积电将继续在先进制程维持领先地位。

在这种情况下,台积电称得上遥遥领先。

写在最后

台积电在正式中表示,为了保持技术领先地位,公司计划继续大力投资研发。在A16和A14先进CMOS逻辑节点研发管线不断推进的同时,公司的探索性研发工作重点将集中在A14之后的节点,以及3D晶体管、新型存储器和低导通电阻(R)互连等领域。这项工作旨在为未来创新技术平台的开发奠定坚实的基础。

与此同时,台积电的3DFabric先进封装研发中心正在开发子系统集成方面的创新,以进一步增强先进的CMOS逻辑应用。

台积电强调,公司持续关注面向5G和智能物联网应用的射频(RF)和3D智能传感器等新型专业技术。台积电的研究持续开发可能在未来十年甚至更远的未来被采用的新型材料、新工艺、新设备和新存储器。公司还将继续与来自学术界和产业联盟的外部研究机构合作,旨在及早发现并采用未来经济高效的技术和制造解决方案。

凭借一支高素质、敬业的研发团队和坚定不移的创新承诺,台积电有信心通过向客户提供先进、有竞争力的半导体技术,在未来几年推动未来业务增长和盈利能力。

这就留给笔者一个疑问,还有厂商能追上台积电吗?

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