全球首款：SK 海力士宣布完成 HBM4 开发并准备量产

9 月 12 日消息，SK 海力士刚刚宣布已成功完成面向 AI 的超高性能存储器新产品 HBM4 的开发，并在全球范围内率先构建了量产体系。

SK 海力士表示：“公司成功开发将引领人工智能新时代的 HBM4，并基于此技术成果，在全球首次构建了 HBM4 的量产体系。此举再次向全球市场彰显了公司在面向 AI 的存储器技术领域的领导地位。”

注：高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）垂直连接多个 DRAM，相比现有的 DRAM 可显著提升数据处理速度，目前已推出六代产品 ——HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4。

据海力士介绍，全新的 HBM4 采用了较前一代产品翻倍的 2048 条数据传输通道，将带宽扩大一倍，同时能效也提升 40% 以上。凭借这一突破，该产品实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。

公司预测，将该产品引入客户系统后，AI 服务性能最高可提升 69%，这一创新不仅能从根本上解决数据瓶颈问题，还可显著降低数据中心电力成本。

与此同时，此次 HBM4 实现了高达 10Gbps 以上的运行速度，这大幅超越 JEDEC 标准规定的 8Gbps。

据介绍，公司在 HBM4 的开发过程中采用了产品稳定性方面获得市场认可的自主先进 MR-MUF 技术和第五代 10 纳米级（1b）DRAM 工艺，最大程度地降低其量产过程中的风险。