NAND涨价太猛，多家存储模组厂被迫推迟新品上市

11月17日消息，据媒体报道，受人工智能数据中心对存储芯片需求激增的推动，当前存储芯片市场正面临持续的供不应求与价格大幅上涨。

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受此影响，多家存储模组制造商已将原定于2025年下半年发布的新产品，推迟至2026年上市，以便进一步观察供应紧张对存储价格后续走势的影响。包括海力士、十铨科技在内的品牌产品已出现显著涨价，不少厂商也明确表示，今年第三、第四季度不会按原计划推出新品。

为满足人工智能产业对高性能存储的迫切需求，存储制造商正将DRAM生产线转向利润更高的HBM及企业级高端DRAM产品。这一调整导致DDR4内存逐步停产，价格持续攀升，同时DDR5价格也出现大幅上涨。

最新消息显示，本月三星电子已将领部分DDR5芯片的合约价比9月上调60%。DRAMeXchange统计表明，九月中旬至十月中旬期间，DDR5现货价格已实现翻倍增长。

NAND Flash市场同样受到波及。制造商优先保障AI客户的企业级SSD供应，消费级NAND Flash产品因此出现短缺并随之涨价。SanDisk在9月率先将NAND Flash合约价上调10%，美光也因价格与产能调整暂停报价。近期市场进一步传出SanDisk将涨幅提高至50%，促使建兴、宜鼎、宇瞻等模组厂暂停出货并重新评估报价。

存储芯片的短缺与涨价已传导至下游消费电子领域。有传闻称，因GDDR7显存供应紧张，英伟达可能将GeForce RTX 50 Super系列的发布推迟至2026年第三或第四季度。日本零售商因供应不足已对存储模组实施限购，小米也警告手机价格可能因存储成本上升而调涨。

目前，多家模组厂商与行业分析认为，由于上游DRAM与NAND Flash制造商在扩产方面态度保守，存储芯片短缺局面很可能延续至明年，甚至持续到2027年。